led芯片的制造过程可大致分为晶圆处理工序(wafer fabrication)，晶圆针测工序
( wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initial test and final test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(front end)工序，而构装工序、测试工
序为后段(back end)工序。
1)晶圆处理工序
本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），
其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗干
净，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、
金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件的加工与制作。
2)晶圆针测工序
经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒。一般情况下，为便于测
试，提高效率，应在同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种
不同品种、规格的产品。用针测( probe)仪检测每个晶粒的电气特性，并将不合格的晶
粒标上记号。再按其电气特性分类并装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。
3)构装工序
构装就是将单个晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些
引接线端与基座底部伸出的插脚连接起来，以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶
盖板，用胶水封死。这样做的目的是保护晶粒避免受到机械剖伤或高温破坏。到此才算制
成了一块集成电路芯片（即在计算机里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有许多
插脚或引线的矩形小块）。
4)测试工序
芯片制造的最后一道工序为测试，它又可分为一般测试和特殊测试，前者是指将封
装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试
后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。特殊测试则是指根据客户特殊需求的技术参数，
从相近参数规格、品种的产品中拿出部分芯片做有针对性的专门测试，看是否能满足客户
的特殊需求，以决定是否需要为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型
号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参
数情况定为降级品或废品。
其实，外延片的生产制作过程是非常复杂的，在扩展完外延片后，下一步就是对led
外延片做电极（p极，n极），接着再开始用激光机切割led外延片（以前切割led外
延片主要用钻石刀）。将其制成芯片后，要在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试。
主要应对电压、波长、亮度进行测试，对符合正常出货标准参数的晶圆片再继续进行下一
步操作。对于九点测试不符合相关要求的晶圆片，应将其放在一边另钋处理。
将晶圆切割成芯片后，要进行1 000/0的目检(vluvc)，即操作者要在放大30倍数的
显微镜下进行目测，挑选出合格品和不合格品。接下来的工序是使用全自动分类机根据不同的电压、波长、亮度等预测参数，对芯
片进行全自动化挑选、测试和分类。
最后，对led芯片进行检查(vc)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心，蓝膜上最
多有5000粒芯片，但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒。要将芯片类型、
批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上，附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最
后的目检测试，其测试标准与第一次目检标准相同，以确保芯片排列整齐和质量合格。到
此，便制作完成led芯片（目前市场上统称方片）了。
