氮化镓( gan)是一种具有较大禁带宽度的半导体，
氮化镓衬底led有两种基本结构：横向结构(lateral)和垂
直结构( vertical)。横向结构led的两个电极在led的同一
侧，电流在n-类型gan层中横向流动不等的距离。由于n
类型gan层具有电阻，故会产生热量。垂直结构的led晶
片的两个电极分别在led外延层的两侧，由于图形化电极和
全部的p类型限制层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直
流过led外延层，极少横向流动，所以可以改善平面结构的
电流分布问题，提高发光效率，也可以解决p极的遮光问题，
提升led的发光面积。
以蓝宝石力生长衬底的传统的垂直结构氮化镓基led如
图3-6所示。
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┃ ┃ 第一电极 l ┃
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┃ 电流扩散层 ┃
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┃ 氮化镓基第一类型限制层 ┃
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┃ 发光层 ┃
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┃ 氮化镓基第二类型限制层 ┃
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┃ 导电支持衬底 ┃
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┃ 第二电极 ┃
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图3-6 传统的垂直结构
氮化镓基led
以蓝宝石为生长衬底的新型的垂直结构氮化镓基led如图3-6所示。新型的垂直结
构氮化镓基led的特点是在蓝宝石生长衬底和氮化镓基外延层之间层叠了一层金属层。
该金属层可以层叠在蓝宝石生长衬底和导电中间媒介层之间，如图3-7 (a)所示；也可
层叠在中间媒介层和氮化镓基外延层之间，如图3-7 (b)所示；还可层叠在第一中间媒
介层和第二中间媒介层之间，如图3-7 (c)所示。
