氧化锌( zn0)与氮化镓(gan)晶体结构相同，禁带宽度接近，其能带不连续值小，
接触势垒小，因此，zn0被当做gan外延片的候选衬底。zn0材料的生长非常安全，可
以采用没有任何毒性的水为氧源，采用有机金属锌为锌源。
zn0作为衬底的致命弱点是在gan外延生长的温度和气氛中易分解和腐蚀。目前，
zn0半导体材料尚不能用来制造光电子器件或高温电子器件，主要原因是材料品质达不
到器件水准和p型掺杂问题没有真正解决，适合zn0基半导体材料生长的设备尚未研制
成功。今后其研发的重点是寻找合适的生长方法。
