led外延芯片生长的基本原理是在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石
和sic，si）上，将气态物质(in，ga，al，p)有控制地输送到衬底表面，生长出特定单
晶薄膜。
目前led外延片生长技术主要采用的是有机金属化学氕相沉积方法(metal-organic
chemical vapor deposition，mocvd)，mocvd外延技术是国内目前刚起步的技术，它
是1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。利用
该技术制造的mocvd设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化
学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子
专用设备，主要用于gan（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光
二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。
mocvd具有以下优点。
(1)用来生长化合物晶体的各组份和掺杂剂都可以以气态方式进入反应室中，
可以通过控制各种气体的流量来控制外延层的组分、导电类型、载流子浓度、厚度
等特性。(2)因有抽气装置，故反应室中气体流速快。对于异质外延时，反应气体切换很快，
可以得到陡峭的界面。
(3)外延发生在加热的衬底的表面上，通过监控衬底的温度可以控制反应过程。
(4)在一定条件下，外延层的生长速度与金属有机源的供应量成正比。
