ingaaip led通常是在gaas衬底上外延生长ingaaip发光区和gap窗口区制备而
成的。与ingaaip相比，gaas材料具有小得多的禁带宽度，因此，当短波长的光从发光
区与窗口区表面射入gaas衬底时，将被悉数吸收，成为器件出光效率不高的主要原因。
在衬底与限制层之间生长一个特殊的反射区，能将垂直射向衬底的光反射回发光区或窗口
区，部分改善器件的出光特性，如图3-13所示。这种结构在生长厚的窗口层的同时，还在
活性层和吸收衬底之间周期性交替生长出两种折射率不同的材料，形成布拉格反射层
( dbr)。dbr多采用aigaas_aigaas或是alingap-alinp，它在有源层和衬底之间，
能够将射向衬底的光利用布拉格反射原理反射回上表面。
另一个更为有效的方法是先去除gaas衬底，代之以全透明的gap晶体，如图3-14
所示。由于芯片内除去了衬底吸收区，故使得量子效率从40/0提升到了25%～30u/o。为进
一步减小电极区的吸收，可将这种透明衬底型的ingaaip器件制作成截角倒锥体的外形，
从而可使量子效率有更大的提高。
