从国内外半导体照明功率型led芯片技术的发展现状来看，薄膜结构芯片凭借其一
系列优越性将会是未来照明级led芯片技术发展的必然趋势。也就是说，照明级led芯片结构的发展将经历一个“正装结构一倒装结构一薄膜结构”的技术演变。表3-10列举了
传统结构芯片与薄膜结构芯片的特点对比，从表中可以看出薄膜结构芯片在发光效率、散
热性和可集成性等方面有着传统芯片所不能比拟的优越性，这也是国际大厂争相布局和研
发的初衷。lumileds、cree和osram三家国际大厂推出了全新薄膜结构产品，其中cree
的ezbright系列的封装白光器件可以达到186 im/w的发光效率，为目前世界范围内有报
道的最佳水平。
表3-10传统结构芯片与薄膜结构芯片的特点对比
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┃ 厂 商 ┃ 产品特点 ┃ 量 产 ┃ 研 发 ┃
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┃ nlchia ┃正装、pss ┃ 90～loolm/w ┃ 145 im/w ┃
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┃ cree ┃ sic生产衬底、垂直、si衬底 ┃100 ~120 im/w ┃ 186 im/w ┃
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┃ lumjleds ┃薄膜倒装结构( tffc) ┃90~110 im/w ┃ 140 im/w ┃
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┃ osram ┃垂直、si衬底 ┃loo~llolm/w ┃ 136 im/w ┃
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┃ semjleds ┃垂直、铜合金衬底 ┃ 80—90 im/w ┃ 120 im/w ┃
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┃ epistar ┃正装、pss ┃90~100 im/w ┃ 120 im/w ┃
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半导体照明led芯片技术是一个涉及理论设计、外延和芯片工艺的系统化技术，除
了薄膜芯片技术之外，当前世界范围内针对照明级led芯片技术的开发，主要可以归结
为以下一些技术路线。
(1)非极性衬底、半极性衬底的外延材料生长。
(2)量子点、量子线有源层设计和外延生长。
(3)光子晶体、准光子晶体应用于芯片取光技术。
(4)交流电发光二极管(ac-led)。
