面向开关稳压器设计的高速高压mosfet现在可以通过toshiba electronics europe购买。这4款n沟道器件的额定电压为800和900v，典型导通电阻（rds(on)）低至1.9ω。
增强模式mosfet基于公司的πmos viii（pi-mos-8）第八代平面半导体工艺，整合了高水平单元集成和优化单元设计。该技术支持降低栅极电荷和电容，而不会牺牲rds(on) 低的优势。
这些mosfet是dtmos iv 800v超结dtmos4器件的低电流补充。2.5a tk3a90e和4.5a tk5a90e的vdss额定值为900v，典型rds(on)分别为3.7ω和2.5ω。4.0a tk4a80e和5.0a tk5a80e器件的vdss额定值均为800v，典型rds(on)分别为2.8ω和1.9ω。最大漏电流很低，仅10μa（vds = 60v），栅极阈值电压范围为2.5~4.0v（在vds为10v和漏极电流为0.4ma时）。所有器件均采用标准to-220sis封装。http://thwy01.51dzw.com/
目标应用包括led照明中的反激变换器、辅助电源和其它要求电流开关低于5a的电路。
