独立式(standalong)的次世代内存已可大幅提升系统的效能，但采用直接在soc芯片中嵌入的设计，则可将效能再往上提升一个等级。 因此，嵌入式内存技术所带来最直接的成果，就是效能与体积。
由于嵌入式内存制程是在晶圆层级中，由晶圆代工厂把逻辑ic与内存芯片整合在同一颗芯片中。 这样的设计不仅可以达成最佳的传输性能，同时也缩小了芯片的体积，透过一个芯片就达成了运算与储存的功能，而这对于物联网装置经常需要数据运算与数据储存来说，非常有吸引力。
以台积电为例，他们的主要市场便是锁定物联网、高性能运算与汽车电子等。
不过，目前主流的闪存因为采电荷储存为其数据写入的基础，因此其耐用度与可靠度在20nm以下，就会出现大幅的衰退，因此就不适合用在先进制程的soc设计里。 虽然可以透过软件纠错和算法校正，但这些技术在嵌入式系统架构中转换并不容易。 所以结构更适合微缩的次世代内存就成为先进soc设计的主流。
另一方面，次世代内存也具有超高耐用度的，所以无论是对环境温度的容忍范围或者存取的次数，都能远远超过目前的解决方案，因此这些新的嵌入式内存技术就更运用在特定的市场。
以rram为例，欧洲研究机构爱美科(imec)几年前就已经发表了10nm制程的技术，突破了目前nand flash的极限。 近期mram技术也宣布其制程可以达到10nm，甚至以下。
不过次世代嵌入式内存soc芯片的制程非常困难，不仅整合难度高，芯片的良率也是一个门坎，目前包含台积电、联电、三星、格罗方德(globalfoundries)与英特尔等，都投入大量的人力在相关生产技术研发上。
而以发展的时程来看，次世代嵌入式内存技术将会先运用在特定用途的soc和mcu上，而随着制程成熟与价格下降后，将会有更多的应用与市场。
来源：ctimes
