美国加利福尼亚圣克拉拉，(2018 年 2月 27 日)——今日，格芯 与 evaderis共同宣布，将共同开发超低功耗mcu参考设计方案，该方案基于格芯22nm fd-soi(22fdx®)平台的嵌入式磁性随机存储器(emram)技术。双方合作所提供的技术解决方案将格芯22fdx emram优异的可靠性与多样性与 evaderis的超低耗电ip结合，适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用。
evaderis 的 mcu 设计充分利用了 22fdx 平台高效的电源管理能力，相较于上一代 mcu，电池续航力可提高到10 倍以上，同时芯片尺寸大幅降低。这项由格芯fdxcelerator™合作项目(fdxcelerator™ partner program)开发的技术，所提供的高器件密度、低成本的单芯片解决方案，特别符合对功耗敏感的应用， 可帮助芯片设计人员将效能、密度以及易用性推向新的高度。
“evaderis 创新架构的超低耗电 mcu ip 设计以格芯 22fdx emram 技术为基础打造，非常适合常闭的(normally-off)物联网应用。”evaderis 总裁兼首席执行官 jean-pascal bost表示，“以格芯emram 作为工作内存，可让mcu的部分电路更频繁的下电，而不会引起mcu的性能损失。evaderis 希望能在今年年底之前将这项通过验证的 ip 提供给客户。”
“穿戴式和物联网装置需要耐久的电池续航力、更高的运行能力并集成先进的传感器。”格芯嵌入式存储器事业部副总裁 dave eggleston 表示，“身为 fdxcelerator 合作伙伴，evaderis运用基于格芯 22fdx 的 emram技术， 开发全新的mcu架构，帮助客户达成更高的需求。”
格芯与evaderis基于格芯22fdx 的 emram技术共同开发的参考设计将于 2018 年第 4 季面世。包含有emram 和射频解决方案的22fdx设计套件现已发布。用于客户进行原型验证的多项目晶圆(mpw)已经开放，现成的emram 模块也已提供，有flash 和sram两种接口方案可供选择，使得客户可以更容易地进行产品设计。格芯预计emram将在 2018 年开始小批量生产来源：21ic
