这两年，三星电子、台积电在半导体工艺上一路狂奔，虽然有技术之争但把曾经的领导者intel远远甩在身后已经是不争的事实。
在美国举行的三星工艺论坛sff 2018 usa之上，三星更是宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺，直逼物理极限。
三星将在7lpp工艺上首次应用euv极紫外光刻技术，预计今年下半年投产。关键ip正在研发中，明年上半年完成。
在7lpp工艺的基础上继续创新改进，可进一步缩小芯片核心面积，带来超低功耗。
最后一次应用高度成熟和行业验证的finfet立体晶体管技术，结合此前5lpe工艺的成熟技术，芯片面积更小，性能更高，可以快速达到高良率量产，也方便客户升级。
gate-all-around就是环绕栅极，相比于现在的finfet tri-gate三栅极设计，将重新设计晶体管底层结构，克服当前技术的物理、性能极限，增强栅极控制，性能大大提升。
三星的gaa技术叫做mbcfet(多桥通道场效应管)，正在使用纳米层设备开发之中。
大家可能以为三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备，但其实在高性能领域，三星也准备了杀手锏，大规模数据中心、ai人工智能、ml机器学习，7lpp和后续工艺都能提供服务，并有一整套平台解决方案。
比如高速的100gbps+ serdes(串行转换解串器)，三星就设计了2.5d/3d异构封装技术。
而针对5g、车联网领域的低功耗微控制器(mcu)、下代联网设备，三星也将提供全套完整的交钥匙平台方案，从28/18nm emra/rf到10/8nm finfet任选择。
来源：快科技
