ao3406
n-channel enhancement mode field effect transistor
ao3406采用先进的沟槽技术
提供出色的rds（on）和低栅极电荷。 这个
该器件适合用作负载开关或pwm
应用。 标准产品ao3406不含铅
（符合rohs和sony 259规格）。
特性ta = 25℃
参数漏源击穿电压零栅极电压漏极电流栅极 - 漏极电流栅极阈值电压静态漏极 - 源极导通电阻导通状态漏极电流正向跨导输入电容输出电容反向传输电容栅极电阻总栅极电荷栅极源极充电栅极漏极电荷开启延迟时间开启上升时间关闭延迟时间关闭下降时间体二极管反向恢复时间体二极管反向恢复电荷最大体二极管连续电流二极管正向电压符号vdss idss igss vgs（th）rds（on）id （on）gfs ciss coss crss rg qg qgs qgd td（on）tr td（off）tf trr qrr is vsd is = 1a，vgs = 0v 0.79 if = 3.6a，di / dt = 100a /μsvgs= 10v，vds = 15v，rl =2.2ω，rg =3ωvgs= 0v，vds = 0v，f = 1mhz vgs = 4.5v，vds = 15v，id = 3.6a vgs = 10v，vds = 15v，id = 3.6a 1.7 vgs = 0v，vds = 15v，f = 1mhz测试条件id =250μa，vgs = 0v vds = 30v，vgs = 0v vds = 30v，vgs = 0v，tj = 55℃vds = 0v，vgs =±20v vds = vgs，id =250μvags= 10v，id = 3.6a vgs = 10v，id = 3.6a vgs = 4.5v，id = 2.8a vgs = 10v，vds = 5v vds = 5v，id = 3.6a 15 11 170 35 23 3.5 2 4.05 0.55 1 4.5 1.5 18.5 15.5 7.5 2.5 1.5 1 10 nc av ns 5.3 3 5ncω210pf tj = 125℃ 1.5 2 36 57 48最小值30 1±100 2.5 50 80 70asmω典型值最大值单位vμanav.
