AO4407A采用先进沟槽技术P沟道增强模式场效应晶体管

AO4407A采用先进沟槽技术P沟道增强模式场效应晶体管

rg, ciss, coss, crss tested!general description

the ao4407a uses advanced trench technology to

provide excellent rds(on), and ultra-low low gate charge

with a 25v gate rating. this device is suitable for use as

a load switch or in pwm applications. standard product

ao4407a is pb-free (meets rohs & sony 259

specifications).

ao4407a

p沟道增强模式场效应晶体管

特征

vds = -30v

id = -12a(vgs = -10v)

rds(on)<11mω(vgs = -20v)

rds(on)<13mω(vgs = -10v)

rds(on)<38mω(vgs = -10v)

uis测试了!

rg,ciss,coss,crss tested!概述

ao4407a采用先进的沟槽技术

提供出色的rds(on)和超低低栅极电荷

具有25v栅极额定值。该设备适合用作

负载开关或pwm应用。标准产品

ao4407a无铅(符合rohs和sony 259

规格)。

AO4407A采用先进沟槽技术P沟道增强模式场效应晶体管

ao4407a采用先进的沟槽技术,提供优良的rds(on),以及具有25v栅极额定值的超低低栅极电荷。

该装置适合用作负载开关或pwm应用。

rohs和无卤素

aos产品可靠性报告总结了ao4407a的鉴定结果。在特定的样品尺寸上进行加速的环境试验,然后在终点进行电气试验。最后对ao4407a的测试结果进行了验证,证明ao4407a通过了aos的质量和可靠性要求。

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发布日期:2019年07月02日  所属分类:参考设计