摘要：采用MC34063设计带电流扩充的负电源电路，功率MOS管NTB2506作外接开关管，通过调节功率MOS管的栅极驱动电阻和栅－源之间的电阻，使得栅极有最优驱动电压波形和电流大小，以增加电源的输出功率和效率。实验表明，设计的电源输出电流可达1A，且体积小、效率高。
在干涉型光纤传感器研制中，相位载波（PGC）调制解调是较为常用的信号检测方案，由滤波电路、模拟乘法器、D/A转换电路、微分电路、积分电路等部分组成，需要采用双电源供电且对电源功率要求较大。如用线性电源方案为系统供电，要经过降压、整流、滤波产生正负2种直流电压，再用稳压芯片进行稳压，不但效率低，而且滤波电容、散热片会增加电源部分体积，不适合电路小型化的要求。而用开关电源方案供电时，只需要1套经变压器降压整流后的直流电压，就可以设计出各种输出电压的稳压电源，且电源功率密度高、发热量小。
在开关电源管理芯片中，输出为正电源的器件种类较多，电路易于设计，而输出为负电源的且输出电流达到1A的电源电路则较难设计。本文采用MC34063设计负电源电路，NTB2506做外接功率管，并优化栅极驱动波形，以此提高电源输出电流的能力。
1.MC34063内部结构和电路工作原理
MC34063内部原理框图如图1所示，是一种单片双极性集成电路，具有DC/DC变换器所需要的主要功能，由基准电压发生器、比较器、占空比可控的振荡器，RS触发器和大电流输出开关管等部分组成。
图1MC34063原理框图
MC34063电路控制方式是它激式，内部有1个振荡器，通过外接电容，产生一定频率的开关脉冲信号，以控制开关管的断通，使输出端有稳定直流电压输出，开关频率由外接电容决定。MC34063可以根据实际需要，完成各种电压变换功能。
稳压电路工作原理如下：当输出电压低于设计规定值时，反馈端输入电压小于内部基准电源1.25V，误差比较器输出高电平，打开“与门”，振荡器的振荡脉冲加在RS触发器的R端，使输出端Q为高电平，开关管导通，输入电压向滤波电容充电，使输出电压升高，直到反馈电压等于内部基准电源1.25V时，电路达到平衡状态，输出电压稳定在设计时规定的值；反之，当输出电压高于设计规定值时，开关管截止，电容放电，输出电压减小，最终稳定在设计时规定的值，从而达到了稳压的目的。
2.MC34063设计负电源变换电路
MC34063开关电源控制器是一种单端输出式直流变换器，它不仅可以设计升压和降压电路，而且还可以完成电压反相功能［3］。在设计电压反相的负电源电路时，由于受芯片内部电路结构的影响，流过开关管的电流是梯形波，效率偏低，使得输出电流超过200mA时，电源系统就不稳定，输出纹波电压增大，不能满足在负载要求较大的情况下运行，严重影响了其应用范围。
采用MC34063设计的带电流扩充的负电源电路如图2所示。外接开关管的选用对电路性能影响很大，直接决定了电路输出电流的大小和效率的高低。用三极管做外接开关管，可以和内部功率管接成达林顿形式和非达林顿形式两种电路。采用非达林顿电路时，在开关过程中，三极管的基极存储电荷，会导致管子达到饱和状态，当达到深度饱和时，就会影响开关频率，限制了其应用范围。采用达林顿电路时，虽然不会出现电荷饱和现象，但是开关管导通时压降增加，功耗明显变大，三极管发热严重，输出电流增加有限。采用功率MOSFET做外接开关管时，具有很多优点。它是多数载流子导电的单极型电压控制性器件，不存在电荷存储问题，且开关速度快、高频性能好、输入阻抗高、驱动功率小和无二次击穿问题等特点［5］。NTB2506是工作在低压环境下，具有高速开关特性的P沟道功率MOSFET，开关特性好、损耗小，它的漏极和源极耐压为60V，栅极和源极电压可以达到20V，连续工作电流可达27.5A。故本文选用NTB2506做外接开关管与MC34063内部的功率管并接成非达林顿形式的电路结构。
功率MOSFET的栅极驱动波形对电源的效率有着重要影响，若R5和R6值选择不当，会使电源效率偏低，功率管发热严重，输出电流减小。功率MOSFET对栅极驱动电路的要求主要有：最优的驱动电压和电流波形，最优的驱动电压和电流大小［6］。电阻R5加在栅极和源极之间，主要作用是通过电阻对功率MOSFET栅-源之间的等效电容进行充电，改善驱动电压的波形，保证开通信号具有良好的前沿陡度。如果R5的值过大，漏极与源极之间电压的突变，会通过极间电容耦合到栅极，产生相当高的栅-源尖峰电压，其电压轻则会使功率MOSFET严重发热，重则会使栅-源氧化层击穿，造成管子永久性损坏。电阻R6为栅极驱动电阻，用以调节驱动电流的大小和驱动电压的波形。功率MOSFET开通时，以低电阻对栅极电容充电；关断时，为栅极电荷提供放电回路，以提高功率MOSFET开关速度。电阻的具体数值需要在系统运行状态下通过试验进行调试，使得栅极驱动效果最好，一般情况下，电阻值不能太大。另外，电路带有感性负载，当器件在开关过程中，漏极电流的突变会产生很高的尖峰电压，可能会导致器件的击穿，开关频率越高，产生的过压越大。本文采用2种方法来消除漏极尖峰电压：一是利用二极管D在NTB2506开关过程中给电流提供放电回路；二是利用电阻R4和电容C4构成RC吸收电路，吸收NTB2506漏-源两极间的瞬时电压尖峰，这样可以基本消除尖峰电压，很好地保护了功率MOSFET。
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