安世中国推出 ND3 半桥 IGBT 模块，以高可靠性赋能高压大功率应用
安世中国首款 IGBT 功率模块支持 175℃ 结温持续运行，兼具低损耗、高功率密度与面向恶劣工况的超高鲁棒性
上海，2026年 11 月 5 日：行业领先的基础半导体器件与解决方案供应商安世中国今日推出面向 1200V 的 ND3 半桥 IGBT 模块系列，进一步扩充其高压功率器件产品组合。作为安世中国首款 IGBT 功率模块，该系列采用公司最新的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）沟槽栅先进场截止（FS）技术，提供 1200V 电压等级及 480A、600A、900A 三档电流，满足工业客户对高效高压功率转换与电机驱动日益增长的需求。
该产品系列为中速半桥模块，旗舰型号为 NT900T12D3M7，针对 1-20kHz 开关应用进行了优化，可在高达 175℃ 的结温下持续运行，并具备极低的导通压降 VCE(sat) 与开关损耗（Eon/Eoff），实现无振荡的平滑关断与开通，让大功率转换更加节能。模块在 150℃ 下可承受 8µs 短路，为关键任务留出充足安全裕量，配合面向恶劣工况的强化设计，保障长期可靠运行。优化的大电流承载与紧凑封装，帮助整机实现更高功率密度。该系列可广泛应用于通用变频器、工业伺服与电机驱动、光伏逆变器、有源电力滤波器（APF）、不间断电源（UPS），以及公交客车、重卡等商用、农业与工程车辆（CAV），覆盖高达 300kW 的大功率应用。
安世中国功率器件事业部总经理苑志辉表示：“传统工业电源市场，尤其是 300kW 级电机，正持续向更高效率升级，并加速工业系统的电气化进程。随着安世中国的 IGBT 产品组合扩展到 1200V 模块，我们已做好准备，全力支持工业客户应对不断增长的市场需求，从低压到高压系统，为客户提供更丰富的开关性能选择。”
安世中国的 ND3 半桥 IGBT 模块采用行业标准的 62mm × 122mm 封装，与 EconoDUAL3™ 平台引脚兼容，符合 IEC 质量标准，支持预涂导热界面材料（TIM）与压接引脚（Press-fit）。针对油气、矿山等腐蚀环境，该系列还提供经 H₂S 防护强化的超高鲁棒版本。
ND3 系列六款型号现已全面量产。如需获取数据手册、申请样品与 PLECS 仿真模型，请访问：www.nexperiastore.cn 或联系当地销售代表。
*EconoDUAL3™ 是英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）的注册商标。
安世半导体（中国）是全球领先的基础半导体器件供应商，致力于成为电子电力系统安全、高效运转的半导体能源基座。公司拥有丰富的产品组合，涵盖功率器件、电路保护器件、逻辑及模拟 IC 等，广泛应用于汽车电子、工业控制、消费电子及 AI 基础设施等领域。
依托中国本土 12 英寸晶圆平台，安世中国已建立从产品定义、研发、制造到封测的全供应链闭环，实现显著的成本优势和性能提升。公司传承数十年的质量管理理念与工艺积淀，严格遵循 IATF 16949 质量体系，产品通过 AEC-Q100和AEC-Q101 车规级认证，以超越行业标准的品质为全球客户提供高效、可靠的半导体解决方案与服务。
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