3DG6型NPN型硅高频小功率三极管参数
表1.1.14：
原型号
3DG6
测试条件
新型号
3DG100A
3DG100B
3DG100C
3DG100D
极限参数
PCM(mW)
100
100
100
100
ICM(mA)
20
20
20
20
BVCBO(V)
≥30
≥40
≥30
≥40
Ic=100μA
BVCEO(V)
≥20
≥30
≥20
≥30
Ic=100μA
BVEBO(V)
≥4
≥4
≥4
≥4
IE=100μA
直流参数
ICBO(μA)
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
VEB=10V
ICEO(μA)
≤0.1
≤0.1
≤0.1
≤0.1
VCE=10V
IEBO(μA)
≤0.01
≤0.01
≤0.01
≤0.01
VEB=1.5V
VBES(V)
≤1
≤1
≤1
≤1
Ic=10mA IB=1mA
VCES(V)
≤1
≤1
≤1
≤1
Ic=10mA IB=1mA
hFE
≥30
≥30
≥30
≥30
VCE=10V Ic=3mA
交流
参数
fT(MHz)
≥150
≥150
≥300
≥300
VCE=10V IE=3mA f=100MHz
RL=5Ω
Kp(dB)
≥7
≥7
≥7
≥7
VCE=-6V IE=3mA f=100MHz
Cob(pF)
≤4
≤4
≤4
≤4
VCE=10V IE=0
hFE色标分档 (红)30~60； (绿)50~110； (蓝)90~160； (白)>150
