公司名：无锡海古德新技术有限公司
展位号：C460
优质产品
01 氮化铝陶瓷基板
氮化铝陶瓷具有以下优点：
高热导率(理论值约320W/m•K)
低介电常数(25℃下为8.8 / 1MHz)
低介电损耗（2.98×10-4）
低热膨胀系数(4.5×10-6℃)，与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配
高绝缘性(25℃时体电阻率>1014Ω·cm)
高抗电强度（≥25KV/mm）；
良好的机械性能、耐腐蚀性、光传输特性；
绝缘、无毒等。
氮化铝成为新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料,已被广泛的应用于高功率LED、功率模块、5G通讯、汽车电子、高铁及轨道交通、光伏等领域。
02 陶瓷结构件/异形件
海古德可根据客户需求进行氮化铝和氮化硅陶瓷结构件产品的设计、生产和加工，如坩埚、棒材、管件、圆盘、球阀、蝶阀、密封阀及各类异形件等。
氮化铝陶瓷具有耐热、耐熔融金属的侵蚀、热震性好的特性，对酸稳定，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿，用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料；还可制作磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。
氮化硅陶瓷具有突出的高耐腐蚀性、耐磨、耐高温及热冲击性及机械性能，可用于制作球阀、蝶阀、半球阀、双闸阀、刀闸阀、密封闸、截止阀、陶瓷管件及结构件等。广泛应用于钢铁、冶金、石化、采矿、火电、造纸、多晶硅、环保等领域，各种极端严苛的高腐蚀工况中都具有已证实的出色表现。如湿法烟气脱硫、湿法冶金、气力输送、化工、钢厂喷煤等。
03
金属化产品
（薄膜、LTCC/HTCC）
薄膜
图形精度高：电路图形线宽和最小间距可达2μm。
结合强度高：金属膜层与陶瓷结合强度40MPa以上。
微型化：更适应元器件日益轻薄化，小型化的的要求。
高频性能好: 介电常数小，适合高频和高带宽DRAM。
LTCC特性：多层布线；高绝缘；高导电性；低介电损耗；高耐腐蚀性；可进行嵌入式无源元件处理。广泛应用于自动键合组装和反向焊接组装。
HTCC特性：多层布线；高绝缘；高强度；高耐腐蚀性。应用：微波射频、光通信、功率器件、计算机、集成电路、LED封装。
