当地时间本周一，韩国储存芯片制造商现代半导体公司宣布，它已经开发出全球最快的计算机储存芯片。
现代半导体称，这款全球最快的储存芯片是采用先进的60纳米制造工艺开发的，目前已经通过了计算机微处理器制造商英特尔公司的测试认证。
现代半导体表示，公司计划明年早些时候将开始大规模生产这种储存芯片，新开发的储存芯片运行时钟频率为800mhz，相比之下，目前市场上运行时钟频率最快的储存芯片为667mhz。
现代半导体指出，与先前采用80纳米制造工艺生产的芯片相比，采用60纳米制造工艺开发的1gb储存容量，300mhz时钟频率的ddr2dram储存芯片成本效益提高了50%。
开发这些新的芯片采用了二种新技术，现代半导体命名这二种技术为3-d晶体管和3-层配线技术。
