(电子市场网讯) 德国芯片巨头英飞凌的内存业务高层日前在接受《ee times》网站采访时表示，在闪存领域，英飞凌是一个跟随者，但英飞凌要在今年成为全世界最优秀的dram厂商。 英飞凌内存业务副总裁勒哈德(bernd lienhard)对《ee times》网站表示:“我们认为自己是dram领域的领导者。在nand闪存市场，我们是跟随者，处于追赶的状态。”
据悉，虽然nand闪存是市场热点，但英飞凌只有一条1gbit的nand闪存生产线，采用以色列saifun半导体公司转让的技术。媒体分析认为，英飞凌并没有放弃闪存市场，但其焦点是在dram，同时为内存业务分拆作准备。
勒哈德说:“我们的焦点是dram、dram、dram。今年，我们的工作中心是成为全世界最好的dram制造商。” 显然，勒哈德此处的“最好”并非销量最大，而是技术最先进、质量最好。
上周，勒哈德曾对新闻界透露，英飞凌将很快采用70纳米工艺生产ddr2 sdram，这将是全球内存厂商中的第一家。
内存分拆的传闻已经影响到了英飞凌的业务。2005年，英飞凌作为全球第四大内存厂商，内存销售却下降了9.1%。在闪存领域，英飞凌则从第五名落后到了第七名。
