瑞萨科技公司(renesas technology)日前与grandis达成协议，将共同开发采用自旋转移写入技术的65 nm工艺磁性随机存取存储器(mram)。瑞萨科技将在不久的将来开始供应采用65 nm工艺stt-ram的微型机和soc产品。
瑞萨科技公司生产和技术部代理执行总经理tadashi nishimura表示：“我们目前正在开发采用高速和高可靠性的传统磁场数据写入技术3的mram技术。我们计划在微型机和带有片上存储器的soc器件等产品中使用这种技术。尽管如此,考虑到诸如减少写入的不稳定性和降低电流需求等因素，我们认为，自旋转移是未来采用超精细工艺生产mram的适用技术。grandis拥有优秀的自旋转移技术。我们确信，通过将他们的技术与瑞萨的生产工艺相结合，我们将能够开发出具有高性能和极佳可靠性的通用存储器。”
grandis公司总裁兼首席执行官william almon表示：“我们率先将自旋转移技术与mram中的存储器单元结构集成在一起。通过充分发挥自旋转移的效率，我们已将它提升到一个新的水平，使之可以与今天的lsi器件集成在一起。我们期待，此次与瑞萨科技的合作将把我们的技术应用于lsi，给grandis的业务扩展带来重要的机会。”
mram采用磁铁作为存储器单元。它是一种随机存取存储器，其存储的数据取决于磁铁的磁性方向。mram是一种当电源|稳压器切断后仍可保持数据的非易挥发性存储器，同时具有高速运行和无限重写能力。人们期待，这种由各种类型的存储器所提供的执行功能能力将使mram成为下一代存储器的有力竞争者。大多数正在开发的mram都是基于传统的磁场数据写入，它可以支持快速的运行速度。然而，在未来更加精细的工艺条件下，mram将需要非常大的写入电流。这引起了人们对采用65 nm或更精细工艺的mram的自旋转移写入技术的关注。
而自旋转移写入技术是一种对穿过tmr(隧道磁阻)元件的电子旋转方向进行定位的数据写入技术。数据写入采用与电子保持同样旋转方向的旋转极电流完成。自旋转移随机存取存储器(stt-ramtm)具有比传统的mram更低的功耗和更好的可扩展性等优点。自旋转移技术具有使mram器件既可降低电流需求，又可减少成本的潜力。
