11月21日消息，据国外媒体报道，由于日本东芝公司日前开发了一项新技术，在明年的nand闪存市场，韩国三星公司将面临更大的压力。
据外电报道，东芝日前开发出了一种每个单元可存储两个比特信息的多层级芯片设计，而在此之前每个单元只能存在一个比特信息。事实上这种想法早就出现了，德国英飞凌公司早些时候已提出了上述想法。假如东芝能够抢在三星之前掌握该项技术，将很有可能打破三星目前对nand闪存市场的垄断地位。
该报道指出，东芝有望于明年推出55纳米制程的nand闪存芯片产品，其读写速度将达到目前常规nand芯片速度的两倍。目前苹果电脑公司十分关注东芝在该技术上的进展，苹果电脑是nand闪存片的大客户之一。
