日前ibm和amd公司宣布，他们的研究人员已经对一种被称为strained silicon（变形硅）的芯片生产技术进行了改进，可在提高芯片性能日益困难的今天推动性能的改进。
新的技术被称为双压变形硅（dual-stress strained silicon），在加工过程中采用化学方法对硅进行延展和压缩，改进了产品的导电性能。与当前的变形技术相比，它几乎不需要安装费用并且可将晶体管的性能提高12%左右。两家公司将在明年初开始销售采用了该技术的微处理器。amd公司逻辑技术开发部门的副总裁nick kepler称，他们已经成功地建造了一个更好的检测分析系统，但采用的还是普通材料。
芯片生产商们一直在寻找与众不同的材料以满足摩尔定律，根据该定律晶体管的数量每18个月将翻一翻。英特尔、德仪和其他领先的芯片生产商一直对半导体首选材料--硅--进行变形和拉伸，并发现该技术可提高晶体管的数量和减少电流的泄露。ibm和amd的新技术是芯片行业开发的几种变形改进技术的一种，英特尔公司将在周三出版的一份报纸上刊登其开发的第二代变形硅技术。这种趋势将是芯片制造设备和化学制品提供商的一个大业务。应用材料公司（applied materials）首席技术官ken macwilliams认为，这肯定是一个新兴的市场。
在明年第一季度amd公司将在它的athlon 64芯片生产过程中引入该技术，同时还将使用在明年中期推出的双内核产品的生产过程。ibm也将在明年一季度在基于power的服务器芯片生产上采用该技术。详细情况将在周一举行的旧金山电工及电子工程师协会会议上公布。新技术可使amd保持对英特尔的竞争压力，虽然它的研发预算要少很多。日本的索尼和东芝公司也将在cell芯片生产上采用这种技术。
英特尔在变形硅技术上的研究成果出现在两年前，将晶体管的性能提高了10-25%左右同时生产成本只增加了2%。英特尔的奔4和奔腾m芯片就使用了该技术。然而amd公司的kepler认为，英特尔的技术是使用硅锗合金对芯片进行部分变形，增加了处理过程的复杂性。他称，虽然这种方法很有效但增加了新材料，他们感觉在这一点上英特尔的技术不能应用在生产过程。
