高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社（tse：6723，以下简称瑞萨电子） 已于近日宣布开始供应第12代新型功率mosfet（金属氧化物半导体晶体管）产品——rjk0210dpa、rjk0211dpa和rjk0212dpa。新产品作为面向dc/dc转换器的功率半导体器件，主要面向计算机服务器和笔记本电脑等的应用。
本次推出的3款功率mosfet可用于控制cpu和存储器的电压转换电路。例如，可作为降压电路，用于将电池提供的12v电压转换为1.05v，以便为cpu所用。随着公司进一步推进第12代生产工艺的小型化，瑞萨电子的新型mosfet将fom（品质因数=导通电阻×栅极电荷）在公司现有产品的基础上降低了约40%，这使电压转换过程中的功率损耗大幅降低，从而实现了更高的dc/dc转换器性能。
今后，瑞萨电子还将不断开发适于各类dc/dc转换器的半导体产品，以进一步实现低损耗和高效率，并为开发出更小巧、更节能的系统做出贡献。
此外，新产品的栅-漏电荷电容（qgd），即控制功率mosfet的主要特性分别为1.2nc、0.9nc和0.6nc，也比瑞萨电子第10代功率mosfet（利用相同的导通电阻进行测量时）低了约40%。该数值越小表明开关损耗越低，则更有助于大幅提升dc/dc转换器性能和提高能效。
通常，dc/dc转换器具有2个功率mosfet：一个用于控制，另一个则用于实现同步整流。它们轮流开关以进行电压转换。假设新型rjk0210dpa用于实现控制，同时将瑞萨电子第11代rjk0208dpa用于实现同步整流，那么在将电压从12v转换为1.05v时，其最高功率转换效率则可实现90.6%（在输出电流为18a的情况下）和86.6%（在输出电流为40a的情况下）。（这2个数值均基于300khz的开关频率和两相配置。）
随着信息与通信产品（如服务器、笔记本电脑和图形卡等）性能的不断提升，其所需的功耗也在不断增加。与此同时，不断降低元件（如cpu、图形处理单元（gpu）、存储器、asic）工作电压的发展趋势又导致了电流的增加。这样就需要dc/dc转换器能够处理低压和大电流。除此之外，日益增长的节能环保需求，也提出了降低电压转换过程中的功率损耗与提高转换效率的要求。而瑞萨电子本次所推出的3款第12代功率mosfet产品因其领先于业内的性能与降低约40%的fom，满足了上述需求。
新产品所具有的25v电压容差（vdss）为rjk0210dpa、rjk0211dpa和rjk0212dpa分别实现了40a、30a和25a的最大电流（id）。另外，新产品的总品度值（vgs=4.5v时的标准值）分别为6.84mω?nc、7.83mω?nc和7.2mω?nc，这比瑞萨电子第10代功率mosfet（在用作控制功率mosfet时，其提供了比第11代产品更好的总品度值）降低了约40%。
新产品采用具有出色散热特性、尺寸为5.1×6.1mm、厚0.8mm（最大值）的wpak（瑞萨电子封装编号）封装。同时，器件下面所装有的压料垫，能够在功率mosfet工作时将其产生的热量传导至印刷电路板，并且使功率mosfet能够处理大电流。
