全球领先的微控制器厂商瑞萨科技公司（renesas technology corp.）与全球领先的嵌入式存储器知识产权（ip）厂商emerging memory technologies（emt）今天宣布，瑞萨已将无电容器双的晶体管ram （ttram）技术授权给emt。emt将开发并将基于ttram技术的存储器知识产权扩展到新兴的硅绝缘体（soi）cmos市场。瑞萨作为主流嵌入式soi存储器知识产权技术的ttram技术也将得到扩展。
瑞萨的ttram技术可在标准soi-cmos技术条件下实现动态的存储单元结构。这个存储单元仅由两个串行连接的晶体管组成，而且无需使用传统存储单元中的金属绝缘层金属电容器。它也无需采用用于电容器特殊掩模组的派生cmos工艺，而且可以简化片上参考电压源。其存储单元结构在65nm或更高工艺技术条件下仍然可以实现。
瑞萨科技公司系统核心技术部副总经理kazutami arimoto博士表示：“我们非常高兴emt选择了我们的ttram技术来开发他们的大容量系统级芯片（soc）存储器知识产权。用户需要大存储容量的解决方案，同时又不想在面积、性能和功耗方面做出设计妥协。在emt被授权基于存储器知识产权的ttram技术之后，嵌入存储器用户将很快能够受益于大存储容量、经济有效的解决方案，而这在从前只能采用传统的cmos工艺实现。我们希望，通过将我们的ttram技术与emt优异的存储器编译技术结合在一起，进一步促进soi存储器应用的增长。”
emerging memory technologies公司总裁和首席执行官sreedhar natarajan表示：“soi cmos正在从高性能微处理器领域扩展到广阔的cmos半导体市场。我们认为，世界一流的存储器设计能力与瑞萨成功的soi无电容器ttram技术的结合，将有助于创造出一种采用soi cmos的新型半导体解决方案。”
通过在ttram技术方面的合作，两家公司将为他们的用户提供一种大存储容量的存储器解决方案，并对存储器知识产权技术的开发做出贡献。
