11月25日消息，台积电和中芯国际正在积极的进入闪存市场，先前台积电已经开始制造nor型闪存芯片，中芯国际将利用以色列saifun半导体公司提供的技术生产nand闪存。
台积电在台南科技园区200毫米fab6晶圆工厂生产nor闪存芯片，为了提高产能，明年它还将在300毫米晶圆工厂生产nor闪存芯片。台积电首席执行官蔡力行(ricktsai)表示，明年台积电闪存产品的收入将占到3%至5%。
本周四中芯国际和以色列saifun半导体公司宣布，将利用saifun半导体的每单元四比特quadnrom技术推出8gb储存容量的nand芯片，预期2008年新产品投放市场。
saifun半导体表示，它的quadnrom技术制造出的芯片储存容量是传统储存单元的二倍，由于简化设计架构，制造成本大幅度降低。
上月份台积电首席执行官明确表示，考虑到闪存将能够使公司获得更多新的收入和利润，台积电对闪存市场很感兴趣。
