擎泰科技(skymedicorporation)日前宣布其研发的新一代sd2.0/mmc4.2的combo快闪记忆卡控制芯片,sk6621及usb2.0随身碟控制芯片，sk6281，在多层单元(multi-levelcell，mlc)闪存的支持与速度效能上皆有良好表现。例如，目前其支持的slc芯片可到class6水准(新一代的高容量sdhc记忆卡，依速度分为class2、4、6；其中class6为最高等级)，其所支持的mlc芯片甚至可支持class4的传输速度。
目前整个nand闪存产业处于slc转换至mlc制程的交替期；mlc与slc芯片相较，虽然具有成本低廉的优势，然其速度较慢，因此需要控制芯片的效能够强，才能支持和弥补其缺点，因此slc芯片的nop为4次，也就是每页可以写4次，然mlc的nop只能写1次；也就是说，支持mlc制程的控制芯片需要较严格的标准，以充分发挥nand闪存芯片的功能。
擎泰科技所推出的系列控制芯片经过长时间可靠性测试及针对不同装置兼容性进行的比对较正，已能支持目前市场主流的mlc闪存，如英特尔(intel,js29f16g08camb1,js29f08g08aamb1)、三星(samsung,k9g4g08u0a,k9g8g08u0m,k9lag08u0m,k9hbg08u1m)、东芝(toshiba,tc58nvg2d4ctg00,tc58nvg3d4ctg00,th58nvg4d4ctg00)、美光(micron)、海力士(hynix)等等，以提供客户低成本的sd/mmc与ufd产品解决方案。
此外，藉由良好的韧体设计，可大幅提升性能，达到最高的存取速度，例如：sk6621支持mlc可到class4水准，其所支持slc皆可支持到class6的传输速度。支持mlc亦经过gps装置厂商的认证，其要求写入速度需至少7mb/s；sk6281达到vistareadyboost速度的需求(enhancedforwindowsreadyboost)，且支持单颗mlc时可达22mb/s的读取速度及6mb/s的写入速度。
