北京时间6月28日消息：据国外媒体报道，韩国三星电子日前表示，公司采用60纳米工艺，成功开发出了一款2gb的onenand闪存芯片，并表示这是全球速度最快的内存设备。
这款闪存芯片的性能是现有onenand芯片性能的一倍，其数据写入速度从每秒9.3mb提升至每秒17mb。
三星表示，该芯片可广泛应用于从多媒体手机到数码相机、可移动内存卡、个人电脑以及数字电视等产品中。
onenand芯片可以交叉存取数据，具备有较高的性能，每块芯片都可独立地与系统进行交互操作。相互连接的芯片数量越多，其处理的数据量也就越大。三星称，当8块这款2gb内存芯片连接在一起的时候，芯片的数据写入速度可以达到36mb。
这种闪存芯片还可用作缓存。现在onenand内存就专门用作混合硬盘的缓存。三星在上月举行的微软windows 硬件工程大会上展示了一款商用混合型硬盘样品。（朵朵 编译）
