三星推出第二代NAND闪存 容量速度翻番

三星电子本周二表示，已经成功的开发出第二代nand聚合闪存芯片，其中整合了nor闪存的速度优势和nand闪存的容量优势。鉴于60纳米的生产技术，onenand闪存芯片的容量提高到了2g，与此同时写入速度也提高了两倍。作为半导体产业的新趋势，聚合内存在多媒体手机领域得到了广泛应用。据三星估算，今年的时候onenand闪存销量将达到3亿美元，这个数字到2008年将达到20亿美元。