近日，中国半导体与高端制造领域密集传来突破性进展：香港 ABM 公司与佛山签约建设年产百台套光刻机基地，深圳稳顶聚芯首台国产高精度 Stepper 光刻机出厂，上海微电子 28nm 浸没式光刻机交付产线 —— 一系列成果标志着国产光刻设备从 “实验室” 迈向 “量产线”，为打破国际技术封锁提供关键支撑。
当前，全球半导体产业正处于 “技术博弈与产能重构” 的关键期。美国于 2025 年 9 月升级对华半导体设备管制，将 ASML 1970i/1980i 等 28nm 主力 DUV 光刻机纳入许可审批范围。但国内产业链快速响应，中芯国际 2025 年二季度产能利用率已达 92.5%，28nm 及以上成熟制程贡献 78% 营收，车规级芯片良率稳定在 92%，订单排期延伸至 2026 年一季度。据行业预测，今年底中国在全球十大代工厂成熟工艺产量中的占比将突破 25%，成为汽车电子、工业控制等领域的核心供给方。
材料与封装环节的国产化同步提速。郑州合晶二期 12 英寸高纯度单晶硅片量产，纯度达 11 个 “9”，订单排至 2026 年；南大光电 ArF 光刻胶通过中芯国际认证，彤程新材 KrF 光刻胶市占率超 30%，推动国内光刻胶国产化率年内突破 40%。先进封装领域，华为麒麟 9020 芯片采用 3D 堆叠技术，晶体管密度提升 30%；ABM 公司推出的一站式封装解决方案，串联起本土产业链各环节，弥补高端封装设备空白。
在前沿赛道，第三代半导体与 AI 算力自主化齐头并进。湖南三安 8 英寸碳化硅（SiC）产线正式通线，配套 6 英寸产能达 1.6 万片 / 月，瞄准新能源汽车、光伏逆变器等增量市场；华为发布昇腾 950 系列 AI 芯片，算力达 1-2P，同时推出百万卡规模超节点集群，算力密度领先国际水平，通过架构创新降低对进口 PCIe 交换芯片的依赖。
政策与资本持续为产业赋能。国家制造业转型升级基金、大基金三期重点投向设备与材料领域，上海 “东方芯港” 等产业集群提供土地、税收优惠，推动产业链协同。尽管 EUV 光刻机、高端光刻胶等核心环节仍需攻坚，但国产设备采购占比已从去年的 27% 升至今年二季度的 45%，“自主研发 + 成熟制程突围 + 材料国产化” 的组合策略，正构建起更具韧性的半导体产业链。业内人士指出，中国半导体产业正从 “被动应对” 转向 “主动突破”，未来需在 EDA 工具、第三代半导体等领域持续加码，同时深化国际合作，在技术竞争与全球产业链依存中寻找平衡，推动高端制造迈向全球第一梯队。
