三星3月17日宣布开始量产512GBeUFS3.1芯片，其连续写入速度超过1.2GB/s，是其前代产品写入速度的3倍。
三星方面表示，与前代产品、固态硬盘及MicroSD卡相比，eUFS3.1芯片将为智能手机提供更快的数据传输体验。IT之家了解到，新eUFS3.1芯片的连续写入速度是SATA硬盘（540MB/s）的两倍以上，是UHS-ImicroSD卡（90MB/s）的十倍以上，其处理速度比市面上常见的UFS3.0快60%，拥有2,100MB/s的顺序读取速度以及100,000IOPS（每秒输入/输出操作）和70,000IOPS的随机读取速度和写入速度。
此外三星的eUFS3.1系列还将提供256GB和128GB容量，目前三星位于平泽工厂的P1生产线已开始生产第六代V-NAND。同时，位于中国西安的新X2生产线已开始生产第五代V-NAND。
