- 产品达到成本和性能双重目标，现进入认证测试阶段
- 实现弹性量产和供货取得巨大进展
2019年5月19日，中国 - 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司(纳斯达克股票代码:MTSI，以下简称“MACOM”) 宣布，射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于这一成果，意法半导体和MACOM将继续携手，深化合作。
射频硅基氮化镓可为5G和6G移动基础设施应用带来巨大的发展潜力。初代射频功率放大器 (PA)主要是采用存在已久的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 射频功率技术，而GaN(氮化镓)可以给这些射频功率放大器带来更好的射频特性和更高的输出功率。此外，虽然GaN既可以在硅片上制造，也可以在碳化硅 (SiC) 晶圆上制造，但射频碳化硅基氮化镓（RF GaN-on-SiC）终究不是一种主流半导体制造工艺，且还要考虑和高功率应用争夺SiC晶圆，这些都可能会导致其成本更加昂贵。而意法半导体和 MACOM 正在开发的射频硅基氮化镓技术可以集成到标准半导体工业中，在实现具有竞争力的性能的同时，也有望带来巨大的规模经济效益。
意法半导体制造的射频硅基氮化镓原型晶圆和相关器件已达到成本和性能目标，完全能够与市场上现有的LDMOS和 GaN-on-SiC技术展开有效竞争。现在，这些原型即将进入下一个重要阶段——认证测试和量产。意法半导体计划将在 2022 年实现这一新的里程碑。为取得这一进展，意法半导体和 MACOM 已着手研究如何加大投入力度，以加快先进的射频硅基氮化镓产品上市。
意法半导体功率晶体管子产品部总经理兼执行副总裁 Edoardo Merli表示：“我们相信，这项技术的性能水平和工艺成熟度现已达到可以挑战现有的 LDMOS和射频GaN-on-SiC的程度。我们可以为无线基础设施等大规模应用带来成本效益和供应链优势。射频硅基氮化镓产品的商业化是我们与 MACOM 合作的下一个重要目标，随着合作项目不断取得进展，我们期待着释放这一激动人心的技术的全部潜力。”
MACOM 总裁兼首席执行官 Stephen G. Daly 表示：“我们推进硅基氮化镓技术商业化和量产工作继续取得良好进展。我们与意法半导体的合作是我们射频功率战略的重要组成部分，相信我们可以在硅基氮化镓技术可以发挥优势的目标应用领域赢得市场份额。”
关于MACOM
MACOM 为电信、工业和国防以及数据中心行业设计和制造高性能半导体产品。每年，MACOM为6,000 多家客户提供广泛的产品组合，其中包括射频、微波、模拟和混合信号以及光学半导体技术。MACOM已通过IATF16949汽车标准、ISO9001国际质量标准和ISO14001环境管理标准认证。MACOM 在美国、欧洲和亚洲设有设施，总部位于马萨诸塞州洛厄尔。
关于意法半导体
意法半导体拥有48,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商 (IDM)，意法半导体与二十多万家客户、数千名合作伙伴一起研发产品和解决方案，共同构建生态系统，帮助他们更好地应对各种挑战和新机遇，满足世界对可持续发展的更高需求。意法半导体的技术让人们的出行更智能，电力和能源管理更高效，物联网和互联应用更广泛。意法半导体承诺将于2027年实现碳中和。详情请浏览意法半导体公司网站：www.st.com
关于前瞻性陈述的特别说明
本新闻稿包含基于意法半导体和/或MACOM的观点、假设和双方各管理层目前所掌握的信息而做出的前瞻性声明。这些前瞻性陈述包括有关双方推进硅基氮化镓的商业化和量产的能力和相关产品能否获得市场份额的能力的等陈述。
这些前瞻性声明反映了意法半导体和/或MACOM当前对未来事件的看法，并且受到风险、不确定性、假设和环境变化的影响，这些变化可能导致这些事件或者我们的实际活动或结果与任何前瞻性声明中所表达的内容大不相同。尽管意法半导体和MACOM认为前瞻性声明中反映的预期是合理的，但并不能保证未来事件、结果、行动、业务量、业绩或成就。警告读者不要过分依赖这些前瞻性陈述。若干重要因素可能导致实际结果与前瞻性声明中所指示的结果存在重大差异，此类因素包括但不限于意法半导体最新的Form 20-F报表中陈述的风险因素或MACOM向美国证券交易委员会提交的Form 10-K年度报告和Form 10-Q季报等文件中“风险因素”所述的因素。无论是由新信息、未来事件还是其他情况引起，双方没有义务公开更新或修改任何前瞻性声明。
