东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

中国上海,2023613——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构,耐压600V,适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品,于今日开始批量出货。

通过对栅极设计和工艺进行优化,与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比,600V DTMOSVI系列产品的单位面积漏源导通电阻降低了约13%,漏源导通电阻×栅漏电荷(MOSFET性能的品质因数)降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低,并最终实现了开关电源效率的提高。

该新产品采用TOLL封装,栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响,增强MOSFET的高速开关性能,从而抑制开关过程中的振荡。

未来,东芝将继续扩展600V DTMOSVI系列产品线,以及已发布的650V DTMOSVI系列产品,并通过降低开关电源的功率损耗来达到节约节能的目的。

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

图1:漏极-源极导通电阻与栅漏电荷比较

东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率
  • 应用

-     数据中心(服务器开关电源等)

-     光伏发电机功率调节器

-     不间断电源系统

  • 特性

-     低漏源导通电阻×栅漏电荷,有助于提高开关电源的效率

  • 主要规格

(除非另有说明,Ta=25℃)

器件型号TK055U60Z1
绝对最大 漏极-源极电压VDSS(V)600
漏极电流(DC)ID(A)40
结温Tch(℃)150
电气特性漏极-源极导通电阻 RDS(ON)(mΩ)VGS=10V最大值55
总栅极电荷Qg(nC)典型值65
栅极-漏极电荷Qgd(nC)典型值15
输入电容Ciss(pF)典型值3680
名称TOLL
尺寸(mm)典型值9.9×11.68 厚度=2.3
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注:

[1] 截至2023年6月

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TK055U60Z1

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发布日期:2023年06月13日  所属分类:今日关注