–进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线–
中国上海,2020年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
U-MOS X-H系列产品示意图
新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。
由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。
应用:
・开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)
・电机控制设备(电机驱动等)
特性:
・业界最低[3]功耗(通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡)
・业界最低[3]导通电阻:
RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)
・高额定通道温度:Tch=175℃
主要规格:
(除非另有说明,@Ta=25℃)
器件型号 | TPH2R408QM | TPN19008QM | ||
绝对 最大 额定值 | 漏源电压VDSS(V) | 80 | 80 | |
漏极电流(DC)ID(A) | @Tc=25℃ | 120 | 34 | |
通道温度Tch(℃) | 175 | 175 | ||
电气 特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON)最大值(mΩ) | @VGS=10V | 2.43 | 19 |
@VGS=6V | 3.5 | 28 | ||
总栅极电荷(栅源+栅漏) Qg典型值(nC) | 87 | 16 | ||
栅极开关电荷Qsw典型值(nC) | 28 | 5.5 | ||
输出电荷Qoss典型值(nC) | 90 | 16.5 | ||
输入电容Ciss典型值(pF) | 5870 | 1020 | ||
封装 | 名称 | SOP Advance | TSON Advance | |
尺寸典型值(mm) | 5.0×6.0 | 3.3×3.3 | ||
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注释:
[1] 总栅极电荷(栅源+栅漏)、栅极开关电荷、输出电荷。
[2] 与TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)进行比较,TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻 x 栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻x输出电荷改善约为31%。
[3] 截至2019年3月30日,东芝调研。
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TPH2R408QM
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TPN19008QM
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关于东芝电子元件及存储装置株式会社
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