描述
lm74610-q1 是一款控制器器件
可与 n 沟道 mosfet 一同用于反极性保护电路
其设计用于驱动外部 mosfet
串联电源时可模拟理想二极管整流器
该机制的独特优势在于不以接地为参考
因此 iq 为零
lm74610-q1 控制器
为外部 n 沟道 mosfet 提供栅极驱动
并配有快速响应内部比较器
可使 mosfet 栅极在反极性情况下放电
这种快速降压特性有效限制了检测到反极性时
反向电流的大小和持续时间
该器件设计选用了合适的 tvs 二极管
符合 cispr25 5 类
emi 规范
汽车类 iso7637 瞬态要求
符合汽车应用要求
具有符合 aec-q100 下列结果：
超出人体模型 (hbm)
静电放电 (esd) 分类等级 2
器件充电器件模型 (cdm)
esd 分类等级 c4b
最低反向电压：45v
正极引脚无正电压限制
适用于外部 n 沟道金属氧化物半导体场效应
晶体管 (mosfet) 的电荷泵栅极驱动器
功耗比肖特基二极管/pfet 解决方案更低
低反极性泄漏电流
零 iq
2μs 内快速响应反极性情况
-40°c 至 125°c 工作环境温度
可用于 or-ing 应用
符合 cispr25 emi 规范
选用了合适的瞬态电压抑制器 (tvs) 二极管
满足汽车类 iso7637 瞬态要求
应用
高级驾驶员辅助系统 (adas)
信息娱乐系统
电动工具（工业）
传输控制单元 (tcu)
电池 or-ing 应用
(素材来源：teaxslnstruments.如涉版权请联系删除。特别感谢）
