LM74610-Q1晶体管 (MOSFET) 电荷泵栅极驱动肖特基二极管/PFET 解决方案

LM74610-Q1晶体管 (MOSFET) 电荷泵栅极驱动肖特基二极管/PFET 解决方案

描述

lm74610-q1 是一款控制器器件

可与 n 沟道 mosfet 一同用于反极性保护电路

 其设计用于驱动外部 mosfet

串联电源时可模拟理想二极管整流器

 该机制的独特优势在于不以接地为参考

因此 iq 为零

lm74610-q1 控制器

为外部 n 沟道 mosfet 提供栅极驱动

并配有快速响应内部比较器

可使 mosfet 栅极在反极性情况下放电

 这种快速降压特性有效限制了检测到反极性时

反向电流的大小和持续时间

该器件设计选用了合适的 tvs 二极管

符合 cispr25 5 类

 emi 规范

汽车类 iso7637 瞬态要求

符合汽车应用要求

具有符合 aec-q100 下列结果:

超出人体模型 (hbm)

 静电放电 (esd) 分类等级 2

器件充电器件模型 (cdm)

 esd 分类等级 c4b

最低反向电压:45v

正极引脚无正电压限制

适用于外部 n 沟道金属氧化物半导体场效应

晶体管 (mosfet) 的电荷泵栅极驱动器

功耗比肖特基二极管/pfet 解决方案更低

低反极性泄漏电流

零 iq

2μs 内快速响应反极性情况

-40°c 至 125°c 工作环境温度

可用于 or-ing 应用

符合 cispr25 emi 规范

选用了合适的瞬态电压抑制器 (tvs) 二极管

满足汽车类 iso7637 瞬态要求

应用

高级驾驶员辅助系统 (adas)

信息娱乐系统

电动工具(工业)

传输控制单元 (tcu)

电池 or-ing 应用

(素材来源:teaxslnstruments.如涉版权请联系删除。特别感谢)

  • LM74610-Q1晶体管 (MOSFET) 电荷泵栅极驱动肖特基二极管/PFET 解决方案已关闭评论
    A+
发布日期:2019年07月02日  所属分类:参考设计