每一代新型电子应用都要求电源管理系统有更高的性能。在信息技术和便携式产品市场上，这一趋势尤为明显。直到最近，硅技术一直都是改进电源管理系统性能的最重要因素。然而，硅技术的进步现在受到封装性能提高的限制。为了实现明显的改进，必须提高功率半导体封装技术。下面将对功率封装技术改进的3种途径进行讨论。
提高芯片面积与占用面积之比
在pda和移动电话等便携式应用中，尺寸是关键因素，因此，芯片与占用面积之比是功率器件的最重要因素。在传统的smt封装（如tsop－6、sot－23、sma、smb和smc）中，这一比例为20％左右。这意味着约80％的封装面积被浪费掉了。
无引线封装将芯片/占用面积比提高到约40％，因为引线不延伸到封装之外。球栅阵列（bga）封装进一步提高了这一比例，然而，用于方便漏极连接的铜漏极夹却增大了器件占用面积。international rectifier公司的flipfet通过一种专有技术把所有的触点都安排到芯片的一侧，从而解决了这一问题。芯片进行钝化和形成凸点后完成互连。flipfet 以100％的比例使之成为便携式应用的首选。
将封装的电阻和热阻减至最小
在大电流应用中，如电压调整模块用的dc/dc变换器、笔记本电脑和电路板上安装的电源系统，单个器件的电流承受能力是最重要的优值。将封装的电阻和热阻减至最小，对于提高单个器件能承受的电流来说至关重要。
smt封装，如so-8，不能承受这些系统的电流要求，它们采用新一代处理器时每相的电流应大于25a。这一缺陷主要是封装的结至外壳和结至pcb的热阻过高以及无芯片封装电阻（dfpr）过大造成的。
解决方法之一就是从器件顶部而不是通过pcb把热量吸走。international rectifier公司的directfet封装就提供了这一能力。在directfet封装中，芯片被包裹在一个铜质外壳中，以方便热量从作为散热器的器件顶部散发掉。这一设计消除了引线架和引线焊接，把dfpr降至只有0.1mw，占用面积与so-8封装的相当，而标准的so-8封装的dfpr为1.5mw。结至外壳（顶部）的热阻降到仅为 3℃/w。
在使用导热垫时，directfet封装从封装顶部散发的热量比so-8多50％。在大电流dc/dc 变换器中，directfet封装可以更低的系统成本将电流密度提高两倍，用一对mosfet达到25a/相的电流水平。
将寄生电阻和电感减至最小
第三个重要的考虑是器件的布局、封装的寄生电阻和封装电感。如果cpu电流消耗继续上升，峰值电流可能会大大超过120a，而瞬态响应要求将超过数百a/ms。在这些条件下，即使走线电感只有几个nh，也会让电压降达到数百mv，使得效率降低，以及引起电源输出指标超出cpu的电压容限。
pcb元件间导线的电阻和电感只能通过采用共同封装和集成来减小。将mosfet和肖特基二极管共同封装成为称作fetky的单个器件中是 international rectifier公司的专利。fetky器件封装包括了一个控制mosfet、同步mosfet和肖特基二极管，以图简化单相降压变换器。在这种电路中，肖特基二极管用于减小同步fet中反向恢复的电荷损耗。电流密度也得到了改善，因为现在1个封装取代了3个器件。
共同封装的自然发展结果就是集成化，此时可以将mosfet、二极管、ic和对电路布局来说至关重要的无源元件集成到单个器件上。international rectifier采用了ipowir技术的ip2001和1001就是这类器件的良好实例。ip2001封装在11×11×3mm的bga封装中，它只需接上一个多相控制器、输入和输出电容以及输出电感，就可以实现一个功能完备的大电流变换器。1个ip2001每相可以取代多达11个分立元件。集成化不仅使得占用面积减少了44％，而且与分立方案相比提高了10％的效率。
未来的发展
随着便携式电子产品电流密度和尺寸的提高，共同封装及集成化在提高系统性能方面越来越变得必不可少。最成功的平台将提供最低的每安培电流成本，同时保证用户所需的外形规格。
