离子注入法制备gan基稀释磁性半导体薄膜的方法，将磁性离子如mn及fe、co或ni等注入gan半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250kev的能量注入磁性离子，然后在850－900℃、nh3气氛条件下退火处理。dms离子注入法是通过离子注入，将fe、mn、co或ni等磁性离子注入gan基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比，能够实现较高的离子掺杂浓度，因而可能制备出高居里温度的磁性半导体材料。
主权项
权利要求书1、离子注入法制备gan基稀释磁性半导体薄膜的方法，其特征是将磁性离子如mn及fe、co或ni等注入gan半导体薄膜中，即用离子注入的方法以150～250kev的能量注入磁性离子，然后在850-900℃、nh3气氛条件下退火处理。
