低k及超低k材料在先进技术节点被广泛采用。通常来说，减低k值有二个可能的途径：一是降低材料的极化率，将一些元素加入二氧化硅晶格中能有效地降低极化率，例如氟、碳、氢和各种有机分子团（如甲基）。此外，材料密度降低非常有利于降低k值。所以，在介质材料中制造更多微孔是降低k值得另一途径。
然而，当低k材料帮助集成电路提升速度、改善性能的同时，其多孔性及脆性也为工艺的进步带来了诸多的难题。通常，人们会采用紫外光热处理工艺对超低k介质材料进行处理，以期改善其机械性能，并增强其在cmp工艺时的机械强度。在cu与介质层的交界面通常会产生一定的压应变，这对降低cu金属层的电子迁移率以及提高薄膜堆叠的稳定性大有裨益。但是，cu与介质层的交界面的超低k介质的压应变会随着紫外光热处理过程发生改变，甚至会从压应力转换为拉应力。
novellus采用pecvd（等离子体增强cvd）工艺研发出一种适用于32nm制程的介质薄膜堆叠层。该薄膜堆叠层可降低到达cu与介质层交界面的紫外光，从而保证了超低k介质材料的压应变特性。与以往的多孔低k材料不同，novellus此次采用的解决办法是，淀积密度相对较高的超低k介质材料（k=2.6）和多层低k扩散阻挡层，对uv辐射起到阻挡作用。其中，多层扩散阻挡层是在novellus的单步式机台上生长的。novellus的pecvd部门技术经理andy antonelli认为，这种新型堆叠层的uv吸收能力将对改善互连性能和可靠性带来新的思路。
uv radiation is blocked by a 300 nm ulk layer and a 20 nm diffusion barrier layer.
the diffusion barrier lies between the dielectric layer and copper interconnect.
