vishay推出在一个封装内集成一对不对称功率mosfet系列的首款产品 --- siz700dt。该款器件的推出将有助于减少dc-dc转换器中高边和低边功率mosfet所占的空间。siz700dt采用6 mm×3.7mm的新型powerpair封装，在一个紧凑的器件内同时提供了低边和高边mosfet，同时保持了低导通电阻和高最大电流的特性，比使用两个分立器件的方案节省了很多电路板空间。powerpair的厚度为0.75 mm，比厚度为1.04mm的powerpak 1212-8和powerpak so-8封装薄了28%。
在powerpair型封装出现之前，工程师在设计用于笔记本电脑、vrm、电源模块、图形卡、服务器、游戏机的系统电源、pol、低电流dc-dc转换器和同步降压转换器，以及工业系统中的dc-dc转换器时，只能使用两个独立的器件来达到降低导通电阻和提高电流的目的。
例如，常规双mosfet的powerpak 1212-8的导通电阻大约是30mω，最大电流不到10a，因此不是可行的方案。单mosfet的powerpak 1212-8的导通电阻降至5mω左右。siz700dt中低边沟道的mosfet具有类似的导通电阻，在10v和4.5v电压下的导通电阻分别为5.8mω和6.6mω，在+25℃和+70度温度下的最大电流分别为17.3a和13.9a。除此以外，高边沟道的mosfet在10v和4.5v电压下的导通电阻分别为8.6mω和10.8mω，在+25度和+70度温度下的最大电流分别为13.1a和10.5a。这些指标令设计者能够用一个器件替代原先的两个器件，节省成本和空间，包括两个分立mosfet间的空隙和标识面积。在一些更低电流和更低电压的应用中，甚至可以用powerpair器件替换两个so-8封装的mosfet，至少能够节省三分之二的空间。
由于两个mosfet已经在powerpair封装内部连接上了，电路板的布局会更加简单，pcb走线的寄生电感也减小了，提高了系统效率。此外，siz700dt在引脚排列上了优化，这样在一个典型的降压转换器上，输入引脚被安排在一侧，输出引脚是在另外一侧，进一步简化了电路板布局。
器件符合iec 61249-2-21的无卤素规定。
siz700dt trenchfet功率mosfet现可提供样品，将在5月实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。
