解决了一些长期存在的问题,对于采用传统的雷达系统两个业界领先的gan hemt(高电子迁移率晶体管)器件行波管(twt)放大器。基于gan的固态放大器在50v操作不容易看到的高电压(kv)行波管的电源,从而在故障机制,提供更长的寿命。此外,这样的固态系统提供能力接近即时的没有热身,更长的检测范围,提高目标识别。
从一开始,使这些系统优势的设想,cree公司的两个新的gan射频晶体管进行了设计,以提供最高的功率和效率住在一个小的封装尺寸。所述第一装置,一个350w /50ω全匹配的gan hemt是最高功率c波段晶体管可在市场上。第二,一个500w /50ω的gan hemt,最高功率s波段晶体管完全匹配到50ω的单端封装的尺寸。这两款器件将在展示业界首屈一指的技术会议,国际微波研讨会,将于5月17日至21日在亚利桑那州凤凰城。
“cree的新的c波段和s波段的产品打破电力纪录住在一个小的封装50ωgan功率和效率的表现。这种高效的功率晶体管能够达到所需的防御,天气和空中交通管制雷达多千瓦功率放大器的结合经济,“汤姆·德克尔,销售和营销,cree公司射频主任。 “如果我们认为值得的数字输出功率相对rf至50ω封装的面积,cree的350w c波段装置了约3.5倍击败最接近商业化的gan竞争对手。使用功德的数字相同,cree的500w s波段设备提升了45%,比其他商业s波段的产品。“
提供典型脉冲饱和功率性能大于400瓦,cghv59350最常用于在陆基防御和多普勒气象雷达系统。该50ω,完全匹配的氮化镓hemt工作在5.2 - 5.9ghz的带宽,具有60%的典型漏极效率,并封装在一个行业标准0.7“×0.9”陶瓷/金属法兰封装。http://yushuo2.51dzw.com/
提供700瓦特典型的饱和rf脉冲功率时,cghv31500f提供空中交通管制雷达系统。该50ω,完全匹配的氮化镓hemt工作在2.7 - 带宽为3.1ghz,具有12分贝功率增益,并封装在一个行业标准0.7“×0.9”陶瓷/金属封装。