当前我国正在大力开展5g技术与产业化的前沿布局，在5g芯片领域取得积极进展，技术产业化进程不断加快。一方面我国政府高度重视5g芯片的发展，中国制造2025、"十三五"国家信息化规划、信息通信行业发展规划、国家科技重大专项、工业转型升级资金、国家集成电路产业投资基金等为5g芯片的发展提供良好的支撑环境。另一方面我国企业和科研院所围绕5g芯片积极布局，华为海思、展讯等企业正在加快5g基带芯片研发进程;pa、滤波器等5g高频器件的研发也已陆续展开;三安光电、海特高新等企业在化合物半导体代工领域有所突破。经过长期积累，我国集成电路产业在移动芯片领域已取得巨大进展，但5g面临的瓶颈问题依然突出。 国内5g 芯片产品研发面临国外专利封锁，部分关键核心技术缺失，如国外射频芯片和器件技术已经非常成熟，尤其是面向高频应用的baw和fbar 滤波器，博通、qorvo 等企业已有多年技术积累，我国baw和fbar专利储备十分薄弱，自主研发面临诸多壁垒。
国内5g 芯片缺乏成熟的商用工艺支撑，整体落后世界领先水平两代以上。砷化镓、氮化镓等化合物半导体代工市场主要被稳懋、宏捷科技等台湾大厂垄断;格罗方德、towerjazz等厂商则在锗硅和绝缘硅材料工艺方面技术领先。
5g 芯片关键装备及材料配套主要由境外企业掌控。设备方面，制造化合物半导体的关键核心设备mocvd仍主要被德国爱思强和美国veeco 所垄断，国内企业正在积极突破。材料方面，以日本住友为代表的企业在化合物半导体材料领域优势明显;法国soitec 和日本信越等企业在soi 晶圆材料市场占有率较高;封装用的高端陶瓷基板材料基本都是从日本和台湾地区进口。
当前我国5g芯片设计、制造、封测以及装备材料配套等产业链上下游协同性不足，通信设备整机厂商和国外芯片厂商之间的合作惯性一时还难以打破，国内芯片缺乏与软件、整机设备、系统应用、测试仪器仪表等产业生态环节的紧密互动。
来源： 财信网
