一文学会高效比较CMOS开关和固态继电器性能

源极和漏极之间的关断电容CDS(OFF)可用来衡量关断开关后,源极信号耦合到漏极的能力。它是固态继电器(如PhotoMOS®、OptoMOS®、光继电器或MOSFET继电器)中常见的规格参数,在固态继电器数据手册中通常称为输出电容COUT。CMOS开关通常不包含此规格参数,但关断隔离度是表征相同现象的另一种方法,关断隔离度定义为,开关关断状态下,耦合到漏极的源极的信号量。ADI将在本文讨论如何从关断隔离度推导出COUT,以及如何通过它来更有效地比较固态继电器和CMOS开关的性能。这一点很重要,因为CMOS开关适合许多使用固态继电器的应用,例如切换直流信号和高速交流信号。

如何从关断隔离度导出CDS(OFF)

图1显示ADG5412的关断隔离度与频率的典型性能图。该图显示,当源极上的信号频率上升时,关断隔离度降低。

一文学会高效比较CMOS开关和固态继电器性能
图1.ADG5412关断隔离度与频率的关系(±15V双电源)

这意味着,随着信号频率增加,源极上有更多信号会出现在关断开关的漏极。如果您观察开关的等效电路在关断状态下的表现,如图2中的测试电路所示,会发现这种状况不足为奇。当开关处于断开状态时,源极和漏极之间存在寄生电容,即图中的CDS(OFF)。这种寄生电容使高频信号能够通过,关断隔离图就是为了确定这些特征。

一文学会高效比较CMOS开关和固态继电器性能
图2.关断隔离度测量测试电路

从图2所示的测试电路中获取VS和VOUT,然后将它们代入以下公式中,以计算关断隔离度:

一文学会高效比较CMOS开关和固态继电器性能

将从关断隔离图中得到的结果应用到开路开关的等效电路中,可计算得出CMOS开关的DS(OFF)。首先,如果考虑关断开关通道和负载,可以将电路视为高通滤波器,如图3所示。

一文学会高效比较CMOS开关和固态继电器性能
图3.CDS(OFF)和RL高通滤波器