新型汽车级瞬态抑制二极管可降低BOM成本，同时保护BDU、HVAC和PTC系统中的GaN/SiC MOSFET和IGBT
美国 伊利诺伊州罗斯蒙特、中国 上海 — 2026年5月12日 — 为安全高效的电能传输提供先进解决方案的领导企业Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS），今天宣布推出 TPSMC, TPSMD 及 TP5.0SMDJ 高压瞬态电压抑制（TVS）二极管系列，通过专为汽车高压电力电子应用设计的器件（包括电池断路装置（BDU）、高压HVAC系统和正温度系数（PTC）加热器）扩展了TP系列产品组合。（观看视频。）
随着电气化汽车架构向更高电压和宽带隙半导体迁移，GaN/SiC MOSFET 和 IGBT 等功率器件越来越多地受到负载突降、感应开关和其他高能事件造成的严重瞬态电压的影响。传统的中低压TVS解决方案通常需要将多个器件串联起来才能达到充分的保护，从而增加了PCB面积、复杂性和物料清单（BOM）成本。
新型TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ高压瞬态抑制二极管通过在单个汽车级器件中提供更高的断态电压（高达400 V）和高峰值脉冲功率来应对这一挑战，使工程师能够简化保护方案，同时提高系统效率和耐用性。
主要功能与特色
- 高断态电压（≥400 V）可为高压汽车电路提供单设备保护
- 峰值浪涌电流高达 300 A，峰值脉冲功率高达 5 kW，可支持恶劣的瞬态条件
- 快速响应时间（通常<1 ps）可实现有效的瞬态箝位
- 符合AEC-Q101标准，符合PPAP标准，可满足汽车可靠性要求
- DO-214AB（SMC）表面贴装封装可最大程度减小 PCB 尺寸并简化布局
- 符合IEC-61000-4-2 ESD标准（最高30 kV），提供强大的系统级保护
- 与多设备保护方法相比，降低了BOM成本并减少了组件数量
专为高压汽车电源系统而设计
TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ系列是首款专为新兴高压汽车子系统打造的瞬态抑制二极管，使设计人员能够：
- 减少串联所需的TVS器件数量
- 优化低额定值GaN/SiC MOSFET或IGBT的选择，以减少传导损耗
- 在降低成本的同时提高整体系统效率
“这些高压瞬态抑制二极管专为下一代汽车电源架构而开发，”Littelfuse产品营销总监Charlie Cai表示。“通过在BDU、HVAC和PTC应用中启用单器件瞬态保护，我们的客户可以简化设计、降低BOM成本，甚至选择额定值较低的功率半导体来提高效率和系统性能。”
所有系列均提供单向和双向配置。
市场与应用
- 汽车电子产品
- 电池断路装置（BDU）
- 高压HVAC压缩机
- PTC座舱和电池加热器
- 高压直流配电
常见问答 - 高压TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ瞬态抑制二极管
- 为什么选择高压瞬态抑制二极管而不是传统的瞬态抑制解决方案？
高压瞬态抑制二极管可在单个器件中提供足够的断态电压，无需串联多个低压器件。这可减少PCB面积、成本和设计复杂性。 - 这些瞬态抑制二极管旨在保护哪些功率半导体？
这些产品专为保护高压汽车电力电子产品中使用的GaN/SiC MOSFET和IGBT而优化。 - 这些器件符合哪些汽车标准？
TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ系列符合AEC-Q101标准，符合PPAP标准，并符合IEC-61000-4-2 ESD要求。 - TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ系列有哪些区别？
TPSMC 支持 1500 W，TPSMD 支持 3000 W，而 TP5.0SMDJ 支持 5000 W 峰值脉冲功率。 - 这些瞬态抑制二极管是否与Littelfuse现有的设计兼容？
是的。其旨在与现有的Littelfuse瞬态抑制二极管和电路保护产品组合无缝集成。
供货情况
TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ汽车级系列瞬态抑制二极管提供卷带封装，起订量3,000只。通过全球授权的Littelfuse经销商接受样品请求。如需了解Littelfuse授权经销商名单，请访问Littelfuse.com。
更多信息
可通过以下方式查看更多信息：TPSMC, TPSMD及 TP5.0SMDJ 产品页面。如需联系Charlie Cai获得技术支持，请访问Littelfuse网站，或直接与Charlie 联系：CCai@littelfuse.com.
关于Littelfuse
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家为安全高效的电能传输提供先进解决方案的领导企业。凭借覆盖超过20个国家的业务和约16,000名全球员工，我们与客户合作，设计和交付创新、可靠的解决方案。服务于超过100,000家最终客户，我们的产品每天应用于世界各地的各种工业、运输和电子终端市场。详情请访问Littelfuse.com。
