(电子市场网讯) 飞思卡尔半导体日前宣布采用新开发的高压射频功率技术，结合经济高效的创新超模压塑料封装，将其射频功率解决方案扩展至工业、科学和医疗（ism）市场。作为要求苛刻的蜂窝基础设施市场的领导者，飞思卡尔推出了专为hf/vhf频率间隔（10-450 mhz）和2.45 ghz ism频带设计的晶体管，从而将其在技术和封装方面的领导地位延伸到ism市场。 50v vhv6 rf ldmos技术（第6代高电压射频横向扩散金属氧化物半导体）的开发促成了飞思卡尔的此次扩展。该技术在飞思卡尔广为接受的28v ldmos技术基础上将工作电压提高到50v，让设计者能够实现更高的功率，超过当前ism市场上的产品的性能水平。此外，该设备还采用了超模压塑料封装，从而提供了最经济高效的ism解决方案。
飞思卡尔副总裁兼射频部门总经理gavin p. woods表示：“飞思卡尔在蜂窝基础设施射频功率方面处于市场领导地位，同时还开发出50v ldmos技术，这就使我们具备了得天独厚的优势，能够凭借真正的创新产品，将领导地位扩展到ism市场。此外，我们还在超模压塑料封装技术领域处于领导地位，这使我们的客户能够开发最经济高效的ism应用解决方案，比如等离子发生器和磁共振成像（mri）系统。”
提高性能
飞思卡尔提供的ism旗舰产品为mrf6v2300nb，它是功率为300w的50v ldmos晶体管，其工作频率为450 mhz，采用to-272-wb-4超模压塑料封装制造。该设备能够产生27db的可观增益，效率高达68%。凭借该产品的这种出色性能，ism系统的设计者可以消除增益级（gain stages），从而降低总系统成本，减少占用板卡面积。除了出类拔萃的性能以外，该设备还具有极高的稳定性，其耐用容错性能达到10:1 vswr。
六款针对ism的创新产品
飞思卡尔正在扩展其产品到两个不同的ism频率市场：hf/vhf市场和2.45 ghz的ism频带市场。为了达到10-450 mhz的hf/vhf频率间隔要求，飞思卡尔提供了三种采用vhv6 50v ldmos技术的晶体管。这些晶体管包括旗舰产品mrf6v2300nb、mrf6v2150nb（功率150w，效率69%， 增益25db）及mrf6v2010nb（功率10w，效率68%，增益25db）。对于2.45 ghz的ism频带，飞思卡尔提供三种使用28v ldmos技术的设备：mrf6p24190h（功率190w，效率46%，增益13db）、mrf6s24190h（功率140w，效率46%，增益13db）和mw6ic2420nb（二级20w，效率21%，增益21db）。
产品供货信息
上述所有六种ism设备现在已经提供样品。另外，所有三种2.45 ghz的设备已经投产。mrf6v2150nb计划于2006年8月完全投产，而mrf6v2300nb和mrf6v2010nb则计划于2006年第四季度完全投产。
