(电子市场网讯) 2月8日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司采用65纳米低功耗高性能cmos工艺制造的首批芯片样品业已下线。这种全新的工艺是由ibm、chartered、英飞凌和三星（icis）组成的65纳米/45纳米开发联盟取得的最新研究成果。 晶圆生产是英飞凌与chartered合作进行的。英飞凌是65纳米低功耗工艺的先行者，它不仅已为全面演进至65纳米工艺做好了准备，而且能够向受功耗问题困扰的客户提供交钥匙解决方案。英飞凌已经成功实现65纳米mcu/dsp内核制造，开发出相关类库，以及射频、模拟/混合信号宏指令，大大提升了芯片的性能/功耗比。
“现有数据表明我们联盟战略的诸多优势，包括通过集中优良研发资源和利用大量的知识资产所带来的更短开发周期、更丰富的特性和更大的制造灵活性等。”英飞凌科技股份公司管理委员会成员兼通信解决方案业务部总裁hermann eul博士、教授指出。
例如，一种基于arm9的子系统、一种主要的手机元件、一系列数字信元库和众多sram、rom、rf和模拟/混合信号处理功能已经通过了验证。arm9 cpu内核、一种dsp和其他所有宏指令和类库组件的功能性，已在east fishkill工厂得到icis联盟开发的硅半导体的证明，同时得到了制造伙伴chartered的检验。采用65纳米制造的第一款手机芯片最近下线，样品将于今年第一季度推出，量产将于第四季度开始。
英飞凌启动一个名为“一条龙技术引进（smart technology access）”的计划，向客户提供交钥匙解决方案，包括针对特定应用的技术优化、能够融合客户或第三方知识产权的设计系统基础设施、硅验证射频设计、模拟/混合信号处理、sram和rom宏指令、面向特定应用的类库、设计和硅原型设计服务，直到和制造伙伴chartered合作实现量产。
“英飞凌决心快速演进至65纳米制造工艺，从而最好地平衡成熟的193纳米光刻技术的制造成本优势和65纳米低功耗工艺的设计成本效益。另一方面，这种工艺能够带来最佳性能/功耗比，包括最适宜的射频参数。”hermann eul说，“将来，65纳米工艺将是英飞凌通信产品部的主要工艺，它将进一步巩固英飞凌在基带和射频cmos单片集成领域的领先地位，在取得更大竞争优势的同时，还能让我们形成适合各种微处理器和asic解决方案的批量生产能力。”
