intel 10nm工艺使用了第三代finfet立体晶体管技术，晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称)，是目前14nm的足足2.7倍!
作为对比，三星10nm工艺晶体管密度不过每平方毫米5510万个，仅相当于intel的一半多，7nm则是每平方毫米1.0123亿个，勉强高过intel 10nm。
至于台积电、gf两家的7nm，晶体管密度比三星还要低一些。
换言之，仅晶体管集成度而言，intel 10nm的确和对手的7nm站在同一档次上，甚至还要更好!
另外，intel 10nm的最小栅极间距(gate pitch)从70nm缩小到54nm，最小金属间距(metal pitch)从52nm缩小到36nm，同样远胜对手。
事实上与现有其他10nm以及未来的7nm相比，intel 10nm拥有最好的间距缩小指标。
intel 10nm的其他亮点还有：
- beol后端工艺中首次使用了金属铜、钌(ru)，后者是一种贵金属
- beol后端和接触位上首次使用自对齐曝光方案(self-aligned patterning scheme)
- 6.2-track高密度库实现超级缩放(hyperscaling)
- cell级别的coag(contact on active gate)技术
当然了，技术指标再先进，最终也要转换成有竞争力的产品才算数。
intel 10nm工艺使用了第三代finfet立体晶体管技术，晶体管密度达到了每平方毫米1.008亿个(符合官方宣称)，是目前14nm的足足2.7倍!
作为科技行业著名的“牙膏厂”，英特尔一直走在所有厂商前面。因为它的10nm制程已经跳票三年之久，每当一款新的处理器发布，众人翘首以待10nm的到来，可英特尔还是给用户泼冷水，继续跳票10nm工艺。
对于很多用户而言，都在疑问为何英特尔一直跳票10nm呢?因为相比起同期的台积电、三星等厂商，10nm工艺早已经量产上市，并已推出苹果a11、exynos 9810等芯片，而作为pc领域中的大哥人物，为何英特尔跟不上潮流的发展呢?而今天，外媒techinsight就给出了一份满意的答复。
目前，intel 10nm处理器已经小批量出货，已知产品只有一款低压低功耗的core i3-8121u，由联想ideapad 330笔记本首发。
techinsight分析了这颗处理器，获得了一些惊人的发现，直接证实了intel新工艺的先进性。来源：techinsight
