据外电报道，著名市场调研机构gartner表示，由于供过于求的纠缠，未来二年全球dram(动态随机存取储存器)芯片市场令人沮丧。
芯片制造商将从110纳米制造技术逐步转变为90纳米制造工艺。调研公司预期2006年晚些时候许多dram 芯片新工艺生产线将投入生产，随着时间的推移，这些生产线的产能越来越高。尤其是dram储存芯片制造商，由于今年后半年的大量生产，使得dram 储存芯片将出现供过于求现象。
调研公司分析师安德鲁在一份报告中称，由于制造商过多的存货，预期dram 市场的疲软将一直延续到2006年，全球dram 储存芯片的销售收入将下滑5%，dram储存芯片的平均销售价格将下滑37.1%。预期dram市场供过于求的打击到2007年不会出现复苏的迹象，它将引发整个行业对价格进行新的调整，导致全球dram储存芯片的销售收入下滑20%，平均销售价格下滑50%。调研公司预期今年全球dram储存芯片的销售收入为257亿美元，比去年同期下滑2.3%。
调研公司表示，为了进一步防止全球 dram储存芯片市场出现严重的供过于求现象，今年韩国三星电子公司和现代半导体公司一直努力把dram储存芯片的产能向 nand闪存芯片转移。尽管三星电子公司在dram储存芯片市场仍然保持了优势，但由于它把生产重点转移向 nand闪存，今年第三季度它在dram储存芯片市场失去了一些市场份额。
安德鲁说:“二年来现代半导体公司和美国美光科技公司在dram 储存芯片市场一直在争夺第二名的位置，目前美光科技公司又在另一条战线——nand闪存市场与现代半导体公司展开了激烈的竞争”。
