半导体元件与材料国际会议“2007 international conference on solid state devices and materials（ssdm）”于2007年9月19日在日本筑波开幕。
在尖端内存技术云集的“advanced memory technology”会议上，东芝受邀演讲，介绍了无需电容器的dram技术“fbc（floating body cell）”的最新研发状况和今后的技术课题。
fbc是在soi（silicon on insulator）底板上形成的mos晶体管浮体中积累电荷来保存数据的内存。其优点是无需传统dram的电容器，因此能够缩小内存单元面积，同时还易于应对未来的微细化要求。
在此之前，东芝利用90nm工艺半导体技术证实，采用了面积为6f2的单元的fbc内存阵列可以通过简单的工艺和工序制造。并且为fbc内存单元制定了导入32nm工艺的微细化技术目标。东芝通过改进工艺，分别制造出逻辑和内存电路，通过选择性地为内存电路采用较浅的元件结构，提高了soi效果，同时还在膜厚等方面进行了优化设计。因此能够在导入32nm工艺时保证必要的性能。
东芝的目标是利用fbc替代单体dram和混载dram。其中，有望较早实现的是替代混载dram。fbc目前存在的技术课题是数据保持时间仅为数十μs（最差时），比现有dram短2～3个数量级。如果是逻辑lsi混载用途，以这种短数据保持时间为前提，控制器电路只需做简单的改进即可完成刷新工作。另一方面，如果要替代单体dram，fbc的数据保持时间需要较现在有大幅延长。为此，东芝目前正在进行技术开发。
