magnachip semiconductor公司和研诺逻辑科技有限公司(advanced analogic technologies)日前宣布，magnachip已在其位于韩国的200mm晶圆厂中采用了研诺逻辑专有的0.35微米多电压混合信号modularbcd工艺技术。
研诺逻辑将采用由magnachip大批量晶圆制造厂所生产的modularbcd晶圆来制造其新一代功率管理集成电路。预计将于2006年第一季度开始批量生产。modularbcd设备具有高效率、小尺寸以及高整合度等特点，该设备可应用于手机、便携式媒体播放器、平板式和膝上型电脑以及数码相机等移动消费电子产品的功率管理，以延长电池寿命。
modularbcd没有采用老化的线性集成电路式传统晶圆制程或一般的cmos代工工艺，而是采用了新的模拟、功率、混合信号ic技术，这些技术是特别为高科技晶圆制程而开发的，而且十分适用于ex-dram晶圆厂的生产。通过在单个芯片上以3v、5v和12v电压将完全独立的cmos与高速互补双极晶体管以及强大的30v dmos功率设备整合起来(无需磊晶或高温扩散等昂贵的制程)，单芯片混合信号和系统ic在技术和经济层面都成为可能。因此，modularbcd ic产品受益于高度集成性、改善的噪声抗扰性和改进的电路再用性。
除了向研诺逻辑提供生产服务之外，magnachip还获得特许生产modularbcd晶圆以供应那些不直接与研诺逻辑的功率管理设备竞争的产品。modularbcd技术的应用包括电机驱动器、数据转换器、线路驱动器、显示驱动器、汽车ic、机电产品、模拟ic标准产品以及各种混合信号应用产品。此项创新的制程技术有助于magnachip更加有效地利用早先用于生产复杂的高密度动态随机存储器(dram)的现有设备。
