在全球掀起部署下一代无线标准产品的浪潮中，飞思卡尔半导体(freescale semiconductor)日前为适用于时分同步码分多址(td-scdma)无线基站推出高功率多级射频功率ldmos fet。
新近优化的飞思卡尔mw6ic2240nb的高输出水平使oem能够把部件数量从以前的2-3个设备减少到一个，不但节约了电路板空间，而且降低了功率消耗和成本。
mw6ic2240nb是一个ldmos双级rfic。当用于28v的最终放大器应用上时，在输出功率为35dbm的2,010mhz到2,025mhz的频率范围内，能够提供28db的增益、-47dbc的alt1和-49dbc的alt2(6载波td-scdma信号)。mw6ic2240nb的操作电压是26至32伏，具有集成的静态电流温度补偿功能，采用to-272塑料封装。
除mw6ic2240nb外，飞思卡尔还推出了另外6款适合于多载波应用(如cdma、w-cdma和td-scdma)的ldmos和mosfet功率放大器。他们运行在2010至2170mhz的频率范围内，这些设备是：
mhv5ic2215n: 双级ldmos驱动放大器，具有23dbm的输出功率、27.5db的增益、49dbc的alt1和-50dbc的alt2(6个载波的td-scdma信号)。.
mrf6s21060n: n信道、增强模式横向功率mosfet，具有35dbm的输出功率、15.5db的增益、-48dbc的alt1和-49dbc的alt2(6个载波的td-scdma信号).
mrf6s21100n: n信道、增强模式横向功率mosfet，具有35dbm的输出功率、14.5db的增益、-49dbc的alt1和-51dbc的alt2(6个载波的td-scdma信号).
mrf6s21100h: n个信道、增强模式横向功率mosfet，具有35dbm的输出功率、16db的增益、-51dbc的alt1和-53dbc的alt2(6个载波的td-scdma信号)。
mw6ic2015nb: 双级ldmos驱动放大器，具有25dbm的输出功率，27db的增益、-50dbc的alt1和-52dbc的alt2(6个载波的td-scdma信号)。
mrf7s19080h: n信道、增强模式横向功率mosfet，具有35dbm的输出功率、18db的增益, -51dbc的alt1和-52dbc的alt2(6个载波的td-scdma信号)。
所有设备都符合rohs标准，具有内部匹配的输入和输出，可用于磁带和卷轴。它们运行在26至32伏的偏置电压。除了mrf6s21100h和mrf7s19080h外，所有其他设备都采用飞思卡尔超模压塑料封装，温度范围为200度。
供货情况
mw6ic2240nb、mrf7s19080h、mhv5ic2215n、mrf6s21060n、mrf6s21100n、mrf6s21100h和mw6ic2015nb现均已批量生产并已上市。如需了解样品和定价信息，请与飞思卡尔半导体、您当地的飞思卡尔销售办公室或授权经销商联系。
